[發明專利]一種摻氧化鎂同成分鈮酸鋰晶片及其制備方法

有效

• 申請號: 201210335651.7
• 申請日: 2012-09-12
• 公開（公告）號: CN102899722A
• 公開（公告）日: 2013-01-30
• 發明（設計）人: 張婷;曹遠虎;夏宗仁;梁萬國
• 申請（專利權）人: 江西勻晶光電技術有限公司
• 主分類號: C30B29/30
• 分類號: C30B29/30;C30B31/22
• 代理公司: 南昌新天下專利商標代理有限公司 36115
• 代理人: 施秀瑾

1.?一種摻氧化鎂同成分鈮酸鋰晶片，其特征在于：其中氧化鎂含量為5.5~6.5mol%，晶片厚度0.5~3mm。

2.?根據權利要求1所述的摻氧化鎂同成分鈮酸鋰晶片，其特征在于：所述晶片厚度為1.5~3mm。

3.?根據權利要求1所述的摻氧化鎂同成分鈮酸鋰晶片的制備方法，其特征在于：包括如下步驟如下：

????I.?按摩爾百分比Li₂CO₃?Nb₂O₅?MgO=[(1-A₁)×B₁]?[(1-A₁)×C₁]?A₁配料，經混合、燒結得到生長原料；

式中：A₁為生長原料中MgO摩爾百分含量，A₁=5.2～6mol%

(1-A₁)×B₁為生長原料中Li₂CO₃摩爾百分含量，其中B₁=48.2～48.6mol%

(1-A₁)×C₁為生長原料中Nb₂O₅摩爾百分含量，其中C₁=51.4～51.8mol%

??????B₁+C₁=100%

II.?取步驟I制得的所述生長原料，用提拉法生長，感應或電阻加熱，生長速度0.2～1.2mm/hr，晶轉速度4～15rpm，得到原生晶體；

III.?步驟II制得的原生晶體經高溫退火極化處理，再切割成0.5-3mm厚的毛坯；

IV.?按摩爾比Li₂CO₃?Nb₂O₅?MgO=[(1-A₂)×B₂]?[(1-A₂)×C₂]?A₂配料，經混合、燒結得到擴散原料；

式中：A₂為擴散原料中MgO摩爾百分含量，A₂=5.5～6.5mol%

(1-A₂)×B₂為擴散原料中Li₂CO₃摩爾百分含量，B₂=48.6mol%

(1-A₂)×C₂為擴散原料中Nb₂O₅摩爾百分含量，C₂=51.4mol%

?????B₂+C₂=100%

V.?將步驟IV所得的所述擴散原料盛入有蓋鉑坩堝中，再將步驟III所得的切割好的毛坯分隔插入所述擴散原料中，加鉑蓋，在箱式爐中加熱至1000~1150℃，恒溫擴散20~40小時，降溫，晶片出爐，即得。

4.?根據權利要求3所述的制備方法，其特征在于：所述生長原料中，A₁=5.8mol%，B₁=48.5mol%，C₁=51.5mol%。

5.?根據權利要求3或4所述的制備方法，其特征在于：所述擴散原料中，A₂=6.0mol%。

6.?根據權利要求3所述的制備方法，其特征在于：所述步驟III中，原生晶體上下表面加上Pt電極，控制溫度在1210℃以上進行退火，再極化處理，極化電流密度大于3.0mA/cm²。

7.?根據權利要求3或6所述的制備方法，其特征在于：所述步驟III中，原生晶體經過高溫退火極化處理，再切割成1.5~2mm厚的毛坯。

8.?根據權利要求3所述的制備方法，其特征在于：所述步驟V中，箱式爐恒溫溫度為1050℃。

9.?根據權利要求8所述的制備方法，其特征在于：所述步驟V中，恒溫擴散時間為25~35小時。