[發明專利]排氣捕集器有效
| 申請號: | 201210335345.3 | 申請日: | 2012-09-11 |
| 公開(公告)號: | CN102989238A | 公開(公告)日: | 2013-03-27 |
| 發明(設計)人: | 小池悟 | 申請(專利權)人: | 東京毅力科創株式會社 |
| 主分類號: | B01D45/04 | 分類號: | B01D45/04;B01D50/00;H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人: | 李洋;王軼 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 排氣 捕集器 | ||
技術領域
本發明依據2011年9月13日申請之日本專利申請第2011-199622號之優先權,將該日本申請的全部內容作為參考文獻引用于文中。
本發明涉及被用于對基板進行氣體處理的處理裝置的排氣捕集器。
背景技術
在半導體裝置與平板顯示器(FPD)的制造工序中,成膜、熱處理、干蝕刻、清潔等這樣的工序都是在真空處理室中,使用規定氣體進行的。
例如,采用CVD(化學氣相沉積)法進行成膜的成膜裝置具有:反應室,該反應室能將內部排氣成真空;基板支承部,該基板支承部被配置于該反應室內,支承半導體晶片等的基板;基板加熱部,該基板加熱部對被基板支承部支承的基板進行加熱;真空泵等排氣裝置,該真空泵等排氣裝置經由規定的排氣管道與反應室連接,對反應室排氣;以及原料供給系統,該原料供給系統向反應室供給原料氣體。在此類成膜裝置中,被從原料供給系統向反應室供給的原料氣體因被基板加熱部加熱的基板的熱而在氣相中或基板面上進行熱分解或化學反應,從而生成反應生成物,該反應生成物堆積在基板上,由此形成薄膜。
從反應室中排出的廢氣中,包含即使其生成也不會有助于薄膜的成膜的反應生成物與反應副生成物。在這樣的反應生成物與反應副生成物中,凝聚而成為粒子狀的生成物在廢氣沿排氣管道內流動時會出現堆積在排氣管道和真空泵的內壁的情況。如堆積此類堆積性的物質,則可能出現排氣能力低下與真空泵故障。因此,通常使用捕集廢氣中的堆積性物質、防止其流向下游側的排氣捕集器。
排氣捕集器中有如下的類型,即、將翅片的多塊板配置于內部,加長實際的氣體流路,通過長時間地使廢氣接觸該板面,來捕集廢氣中的堆積性物質。另外,還有如下的類型,即、不設置翅片板,而是設置有多塊有開口的擋板,通過使廢氣多次碰撞擋板面來捕集廢氣中的堆積性物質。
對于上述排氣捕集器而言,基本上都是使廢氣中的堆積性物質堆積于擋板和翅片板的表面上進行捕集,因此有時會因為擋板和翅片板的配置與配置間隔,而使大量的堆積性物質堆積于表面上,堵塞流路,或者,即便難以堵塞流路,堆積性物質的捕集效率也很難提高。
發明內容
本發明提供既能提高捕集效率又能減少堵塞的排氣捕集器。
根據本發明的一個方式,提供一種排氣捕集器,具備:流入口,該流入口使來自處理裝置的廢氣流入;流出口,該流出口使從上述流入口流入的上述廢氣流出;以及多塊擋板,該多塊擋板具有:一個或多個具有第一開口尺寸的第一開口部、以及多個具有比上述第一開口尺寸小的第二開口尺寸的第二開口部,在上述流入口與上述流出口之間,該多塊擋板被配置為與從上述流入口流向上述流出口的上述廢氣的流動方向相交叉,上述多塊擋板中的一塊擋板的上述第一開口部與相鄰擋板的上述第一開口部相對于上述流動方向相互錯位,上述多塊擋板中相鄰的兩塊擋板的間隔在上述第二開口尺寸的0.5倍至2倍的范圍內。
附圖說明
圖1是表示本發明的實施方式的排氣捕集器以及使用該排氣捕集器的成膜裝置的示意圖。
圖2是表示本發明的實施方式的排氣捕集器的示意剖視圖。
圖3是表示被配置于圖2的排氣捕集器內的擋板的示意俯視圖。
圖4是表示擋板、對擋板進行定位的桿、調節擋板間隔的墊片之間關系的示意圖。
圖5是說明相鄰兩塊擋板的位置關系的俯視圖。
圖6是說明被配置于圖2的排氣捕集器上的過濾器單元的過濾器的構造的俯視圖。
圖7A~圖7C是說明通過圖2的排氣捕集器去除廢氣中的堆積性物質的原理的說明圖。
圖8A及圖8B是說明圖2的排氣捕集器的適當間隔尺寸的說明圖。
圖9A及圖9B是說明圖2的排氣捕集器的小口徑孔的適當間隔的說明圖。
具體實施方式
以下根據附圖對本發明的實施方式的成膜方法以及成膜裝置進行詳述。圖1是表示本發明的實施方式的排氣捕集器以及使用該排氣捕集器的成膜裝置的示意圖。如圖所示,成膜裝置20具有處理容器22,該處理容器22能夠收納多片被處理體亦即半導體晶片W。該處理容器22由縱向長的內管24和縱向長的外管26構成,該內管24具有有頂的圓筒體形狀;該外管26具有頂的圓筒體形狀。外管26被配置為在內管24的外周與外管26的內周之間留有規定間隔地包圍內管24。另外,內管24與外管26例如都由石英形成。
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