[發(fā)明專利]發(fā)光二極管封裝模塊無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210335198.X | 申請日： | 2012-09-12 |
| 公開（公告）號： | CN102832325A | 公開（公告）日： | 2012-12-19 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 陳盈仲 | 申請（專利權(quán)）人： | 日月光半導(dǎo)體制造股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/48 | 分類號： | H01L33/48;H01L33/54;H01L33/58 |
| 代理公司： | 上海專利商標事務(wù)所有限公司 31100 | 代理人： | 陸嘉 |
| 地址： | 中國臺灣高雄市*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 發(fā)光二極管 封裝 模塊 | ||
1.一種發(fā)光二極管封裝模塊，包括：
一基材，具有一凹槽；
一發(fā)光二極管芯片，設(shè)置于該凹槽內(nèi)；以及
一透明封膠凸起層，設(shè)置于該凹槽上方，該透明封膠凸起層具有一底表面及一外表面，該透明封膠凸起層的高度為0.4～1.1毫米（mm），該底表面的半徑為1.5毫米，該外表面具有一剖面輪廓線，該剖面輪廓線為一貝茲曲線（Bezier?curve），其中該透明封膠凸起層的折射率為1.3～2。
2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝模塊，其特征在于，該發(fā)光二極管芯片的半徑為24密爾，該透明封膠凸起層的高度為0.6～0.8毫米。
3.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝模塊，其特征在于，該發(fā)光二極管芯片的半徑為45密爾，該透明封膠凸起層的高度為0.6～0.7毫米。
4.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝模塊，其特征在于，該剖面輪廓線包括：
一第一直線部，位于該透明封膠凸起層的一頂端，并自該頂端的一中心點向外實質(zhì)上水平延伸；
一彎曲部，連接于該第一直線部；以及
一第二直線部，連接該彎曲部及該底表面。
5.如權(quán)利要求4所述的發(fā)光二極管封裝模塊，其特征在于，該第一直線部的長度大于0.2毫米。
6.如權(quán)利要求4所述的發(fā)光二極管封裝模塊，其特征在于，該第二直線部的長度大于0.2毫米。
7.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝模塊，其特征在于，更包括：
一透明封膠平坦層，設(shè)置于該透明封膠凸起層及該發(fā)光二極管芯片之間。
8.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝模塊，其特征在于，更包括:
一填充層，填充于該凹槽內(nèi)，并覆蓋該發(fā)光二極管芯片。
9.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝模塊，其特征在于，該透明封膠凸起層的折射率為1.5。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于日月光半導(dǎo)體制造股份有限公司，未經(jīng)日月光半導(dǎo)體制造股份有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201210335198.X/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
