[發明專利]真反向電流阻斷設備、系統和方法

無效

• 申請號: 201210335150.9
• 申請日: 2012-09-12
• 公開（公告）號: CN103001617A
• 公開（公告）日: 2013-03-27
• 發明（設計）人: N·孫;韓新寬;范俊
• 申請（專利權）人: 快捷半導體（蘇州）有限公司;快捷半導體公司
• 主分類號: H03K17/56
• 分類號: H03K17/56;H02H5/04;H02H3/08
• 代理公司: 北京派特恩知識產權代理事務所(普通合伙) 11270
• 代理人: 武晨燕;張穎玲

1.一種真反向電流阻斷設備，包括：

PMOS開關，其包括源端口、漏端口、柵端口和n阱區域；

耦合到所述源端口的輸入電壓端口；

耦合到所述漏端口的輸出電壓端口；

耦合到所述柵端口的開關控制端口；以及

比較器電路系統，其被配置為將所述輸入電壓端口處的輸入電壓和所述輸出電壓端口處的輸出電壓進行比較，并且選擇所述輸入電壓和所述輸出電壓中的最大值，所述比較器電路系統進一步被配置為將所選擇的最大值耦合到所述n阱區域。

2.根據權利要求1所述的設備，進一步被配置為：響應于所述比較器電路系統檢測到所述輸出電壓超過所述輸入電壓，關斷所述柵端口。

3.根據權利要求1所述的設備，進一步包括：將所述源端口耦合到所述n阱區域的第一二極管，以及將所述漏端口耦合到所述n阱區域的第二二極管。

4.根據權利要求1所述的設備，其中，所述比較器電路系統為包括二級放大器在內的級聯比較器。

5.根據權利要求1所述的設備，進一步被配置為：響應于所述比較器電路系統檢測到所述輸出電壓超過所述輸入電壓，將所述輸入電壓端口與所述輸出電壓端口解耦。

6.根據權利要求1所述的設備，進一步包括：遲滯電路，其被配置為減少響應于信號噪聲所生成的開關事件。

7.一種真反向電流阻斷方法，包括：

將PMOS開關的源端口處的輸入電壓和所述PMOS開關的漏端口處的輸出電壓進行比較；

選擇所述輸入電壓和所述輸出電壓中的最大值；以及

將所選擇的最大值耦合到所述PMOS開關的n阱區域。

8.根據權利要求7所述的方法，進一步包括：響應于檢測到所述輸出電壓超過所述輸入電壓，關斷所述PMOS開關的柵端口。

9.根據權利要求7所述的方法，進一步包括：將第一二極管耦合在所述源端口和所述n阱區域之間，并且將第二二極管耦合在所述漏端口和所述n阱區域之間。

10.根據權利要求7所述的方法，其中，所述比較由包括二級放大器在內的級聯比較器來執行。

11.根據權利要求7所述的方法，進一步包括：響應于檢測到所述輸出電壓超過所述輸入電壓，將所述源端口與所述漏端口解耦。

12.根據權利要求7所述的方法，進一步包括：將遲滯電路配置為減少響應于信號噪聲所生成的開關事件。

13.一種真反向電流阻斷系統，包括：

真反向電流阻斷開關，其包括：

PMOS開關，其包括源端口、漏端口、柵端口和n阱區域；

耦合到所述源端口的輸入電壓端口；

耦合到所述漏端口的輸出電壓端口；

耦合到所述柵端口的開關控制端口；以及

比較器電路系統，其被配置為將所述輸入電壓端口處的輸入電壓和所述輸出電壓端口處的輸出電壓進行比較，并且選擇所述輸入電壓和所述輸出電壓中的最大值，所述比較器電路系統進一步被配置為將所選擇的最大值耦合到所述n阱區域；

過熱關斷電路，其被配置為監視所述真反向電流阻斷開關的溫度，并且響應于所監視到的溫度超過預定閾值而關斷所述真反向電流阻斷開關；以及

限流電路，其被配置為監視通過所述真反向電流阻斷開關的電流，并且響應于所監視到的電流超過預定義的閾值而關斷所述真反向電流阻斷開關。

14.根據權利要求13所述的系統，其中，所述真反向電流阻斷開關進一步被配置為：響應于所述比較器電路系統檢測到所述輸出電壓超過所述輸入電壓而關斷所述柵端口。

15.根據權利要求13所述的系統，其中，所述真反向電流阻斷開關進一步包括：將所述源端口耦合到所述n阱區域的第一二極管和將所述漏端口耦合到所述n阱區域的第二二極管。

16.根據權利要求13所述的系統，其中，所述比較器電路系統為包括二級放大器在內的級聯比較器。

17.根據權利要求13所述的系統，其中，所述真反向電流阻斷開關進一步被配置為：響應于所述比較器電路系統檢測到所述輸出電壓超過所述輸入電壓而將所述輸入電壓端口與所述輸出電壓端口解耦。

18.根據權利要求13所述的系統，其中，所述真反向電流阻斷開關進一步包括：遲滯電路，其被配置為減少響應于信號噪聲所生成的開關事件。