[發(fā)明專利]LED磊晶制程有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210334114.0 | 申請日： | 2012-09-12 |
| 公開（公告）號： | CN103682005A | 公開（公告）日： | 2014-03-26 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 林雅雯;黃世晟;凃博閔 | 申請（專利權(quán)）人： | 展晶科技（深圳）有限公司;榮創(chuàng)能源科技股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/10 | 分類號： | H01L33/10 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 518109 廣東省深圳市寶*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | led 磊晶制程 | ||
1.一種LED磊晶制程，包括以下的步驟：
提供基板，在所述基板的表面上生長緩沖層；
在第一溫度下，在緩沖層的表面生長第一磊晶層；
在低于第一溫度的第二溫度下，在第一磊晶層的表面生長第二磊晶層，從而使第二磊晶層的表面粗糙化；
蝕刻第二磊晶層和第一磊晶層，直至將第二磊晶層的粗糙表面復(fù)刻至第一磊晶層；
在第一磊晶層的粗糙表面沉積二氧化硅層；
蝕刻二氧化硅層的頂面直至暴露出第一磊晶層，以形成多個凸起；以及
在第一磊晶層上依次成長N型磊晶層、發(fā)光層以及P型磊晶層。
2.如權(quán)利要求1所述的LED磊晶制程，其特征在于，所述第一溫度的溫度范圍為1100℃-1300℃。
3.如權(quán)利要求2所述的LED磊晶制程，其特征在于，所述第二溫度的溫度范圍為500℃-600℃。
4.如權(quán)利要求1所述的LED磊晶制程，其特征在于，在形成多個凸起之后，進(jìn)一步在第一磊晶層以及二氧化硅層的表面形成覆蓋層，然后再在覆蓋層上依次成長所述N型磊晶層、所述發(fā)光層以及所述P型磊晶層，所述覆蓋層在第一溫度下生長。
5.如權(quán)利要求4所述的LED磊晶制程，其特征在于，所述覆蓋層為氮化鋁薄膜層。
6.如權(quán)利要求1所述的LED磊晶制程，其特征在于，所述凸起的直徑為2微米到3微米。
7.如權(quán)利要求1所述的LED磊晶制程，其特征在于，所述凸起與凸起之間形成有間隙，所述間隙的大小位于1微米到2微米之間。
8.如權(quán)利要求1所述的LED磊晶制程，其特征在于，所述基板為藍(lán)寶石基板，所藍(lán)寶石基板的頂面形成有多個凸起。
9.如權(quán)利要求1所述的LED磊晶制程，其特征在于，所述基板為藍(lán)寶石基板，所述藍(lán)寶石基板的頂面為平坦的表面。
10.如權(quán)利要求1所述的LED磊晶制程，其特征在于，所述N型磊晶層、發(fā)光層以及P型磊晶層的制作材料選自GaN、AlGaN、InGaN以及AlInGaN其中之一。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于展晶科技（深圳）有限公司;榮創(chuàng)能源科技股份有限公司，未經(jīng)展晶科技（深圳）有限公司;榮創(chuàng)能源科技股份有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201210334114.0/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇：發(fā)光器件
- 下一篇：一種LED出光表面納米鈦酸鹽層的制備方法
