[發明專利]晶圓減薄方法有效
| 申請號： | 201210333127.6 | 申請日： | 2012-09-10 |
| 公開（公告）號： | CN102825541A | 公開（公告）日： | 2012-12-19 |
| 發明（設計）人： | 邢家明;洪齊元 | 申請（專利權）人： | 豪威科技（上海）有限公司 |
| 主分類號： | B24B37/04 | 分類號： | B24B37/04;H01L27/146;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 鄭瑋 |
| 地址： | 201210 上海市*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 晶圓減薄 方法 | ||
1.一種晶圓減薄方法，其特征在于，包括：
提供晶圓，并在所述晶圓中形成阻擋層；
利用磨削工藝減薄晶圓；
利用化學機械研磨工藝減薄晶圓至所述阻擋層。
2.如權利要求1所述的晶圓減薄方法，其特征在于，在所述晶圓中形成阻擋層的工藝步驟包括：
在所述晶圓中形成溝槽；及
在所述溝槽中沉積阻擋層。
3.如權利要求2所述的晶圓減薄方法，其特征在于，所述溝槽的深度為2.5μm~3μm。
4.如權利要求2所述的晶圓減薄方法，其特征在于，所述溝槽形成于所述晶圓的切割道上。
5.如權利要求1所述的晶圓減薄方法，其特征在于，所述阻擋層的厚度為0.5μm~1μm。
6.如權利要求5所述的晶圓減薄方法，其特征在于，所述阻擋層的材料為氧化硅。
7.如權利要求6所述的晶圓減薄方法，其特征在于，在形成所述阻擋層的同時，在所述晶圓中形成淺溝槽隔離結構。
8.如權利要求6所述的晶圓減薄方法，其特征在于，在利用化學機械研磨工藝減薄晶圓時，所使用的研磨液對于阻擋層和晶圓的研磨選擇比為1：50~200。
9.如權利要求1至8中的任一項所述的晶圓減薄方法，其特征在于，通過化學機械研磨工藝所使用的機臺中顯示的扭矩參數，確定化學機械研磨工藝是否減薄晶圓至所述阻擋層。
10.如權利要求1至8中的任一項所述的晶圓減薄方法，其特征在于，利用磨削工藝將晶圓的厚度減薄至5μm~30μm。
11.如權利要求1至8中的任一項所述的晶圓減薄方法，其特征在于，所述阻擋層靠近所述晶圓的正面。
12.如權利要求11所述的晶圓減薄方法，其特征在于，在所述晶圓中形成阻擋層之后，利用磨削工藝減薄晶圓之前，還包括：
在所述晶圓的正面之上形成功能器件。
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