[發(fā)明專(zhuān)利]有機(jī)分子存儲(chǔ)器和用于有機(jī)分子存儲(chǔ)器的有機(jī)分子有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201210332475.1 | 申請(qǐng)日: | 2012-09-10 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN103137647A | 公開(kāi)(公告)日: | 2013-06-05 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 多田宰;西沢秀之 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 株式會(huì)社東芝 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L27/28 | 分類(lèi)號(hào): | H01L27/28;C07C323/31;C07D495/04;C07D333/20;C07D333/32;C07D519/00;C07D339/06 |
| 代理公司: | 北京市中咨律師事務(wù)所 11247 | 代理人: | 肖威;劉金輝 |
| 地址: | 日本*** | 國(guó)省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 有機(jī) 分子 存儲(chǔ)器 用于 | ||
1.一種有機(jī)分子存儲(chǔ)器,包括:
第一傳導(dǎo)層;
第二傳導(dǎo)層;和
在第一傳導(dǎo)層和第二傳導(dǎo)層之間提供的有機(jī)分子層,所述有機(jī)分子層包括選自滿(mǎn)足下述條件(I)和(II)的分子組,所述有機(jī)分子具有分子骨架,所述分子骨架具有沿分子軸延伸的π-電子體系:
(I)最高占據(jù)分子軌道(HOMO)和最低未占分子軌道(LUMO)中一個(gè)沿分子軸離域,且另一個(gè)相對(duì)于分子軸定域;和
(II)最高占據(jù)分子軌道(HOMO)的能級(jí)值為-5.75eV或更高。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的存儲(chǔ)器,其中所述分子組如(i)和(ii)之一所述:
(i)具有下述通式(1)所示核結(jié)構(gòu)的分子組,
式(1)
其中C、D、E和F為選自下述組(a)或氫原子的取代基,并且A和B為選自下述組(b)中所列結(jié)構(gòu)的分子結(jié)構(gòu):
(a)NO2、CN、F、COOH、COOR、SO3H、SO3R、NH2、NR2、OH、OR和R,其中R為烷基;和
(b)苯基環(huán)、噻吩環(huán)、吡咯環(huán)、呋喃環(huán)、吡啶環(huán)、吡嗪環(huán)、咔唑環(huán)、呫噸環(huán)、喹啉環(huán)、異喹啉環(huán)、吖啶環(huán),所述環(huán)的相應(yīng)取代基改性的結(jié)構(gòu),和通過(guò)經(jīng)由預(yù)定單元結(jié)構(gòu)偶合所述環(huán)或所述環(huán)的相應(yīng)取代基改性的結(jié)構(gòu)而形成的偶合結(jié)構(gòu),其中所述預(yù)定單元結(jié)構(gòu)為選自C-C偶合單元、烯屬雙偶合單元(C=C)和炔屬C-C三偶合單元的結(jié)構(gòu):
(ii)基礎(chǔ)結(jié)構(gòu)或其偶合結(jié)構(gòu)的分子組,
所述基礎(chǔ)結(jié)構(gòu)為下式(C1)-(C16)所示的多環(huán)芳族烴、或者用氮(N)對(duì)部分碳(C)進(jìn)行取代基改性的所述多環(huán)芳族烴的相應(yīng)取代基改性的結(jié)構(gòu)、或者用選自組(a)的取代基進(jìn)行取代基改性的所述多環(huán)芳族烴的相應(yīng)取代基改性的結(jié)構(gòu),
所述偶合結(jié)構(gòu)通過(guò)經(jīng)由預(yù)定單元結(jié)構(gòu)偶合所述多環(huán)芳族烴或所述多環(huán)芳族烴的相應(yīng)取代基改性的結(jié)構(gòu)而形成,其中所述預(yù)定單元結(jié)構(gòu)為選自C-C偶合單元、烯屬雙偶合單元(C=C)和炔屬C-C三偶合單元的結(jié)構(gòu):
3.根據(jù)權(quán)利要求2的存儲(chǔ)器,其中所述有機(jī)分子具有至少一個(gè)或多個(gè)NO2取代基。
4.根據(jù)權(quán)利要求2的存儲(chǔ)器,其中在通式(1)中,A和B為基礎(chǔ)結(jié)構(gòu)或其偶合結(jié)構(gòu),
所述基礎(chǔ)結(jié)構(gòu)為下式(B1)-(B16)所示的結(jié)構(gòu),其中C、D、E和F為選自組(a)且其中R為烷基的取代基,或者通過(guò)對(duì)式(B1)-(B16)所示結(jié)構(gòu)進(jìn)行取代基改性而形成的相應(yīng)取代基改性的結(jié)構(gòu),
所述偶合結(jié)構(gòu)通過(guò)經(jīng)由預(yù)定單元結(jié)構(gòu)偶合所述基礎(chǔ)結(jié)構(gòu)或所述取代基改性的結(jié)構(gòu)而形成,其中所述預(yù)定單元結(jié)構(gòu)為選自C-C偶合單元、烯屬雙偶合單元(C=C)和炔屬C-C三偶合單元的結(jié)構(gòu),
5.根據(jù)權(quán)利要求1的存儲(chǔ)器,其中所述分子組如下所述:
具有下述通式(5)所示核結(jié)構(gòu)的分子組:
式(5)
其中C、D、E和F為選自下述組(a)、氫原子、下式(D1)-(D10)所示供體型分子單元或其衍生物的取代基,且A和B為選自下述組(b)中所列的結(jié)構(gòu)或下式(D1)-(D10)所示供體型分子單元或其衍生物的分子結(jié)構(gòu);A、B、C、D、E和F中至少一個(gè)為下式(D1)-(D10)所示供體型分子單元或其衍生物:
(a)NO2、CN、F、COOH、COOR、SO3H、SO3R、NH2、NR2、OH、OR和R,其中R為烷基;和
(b)苯基環(huán)、噻吩環(huán)、吡咯環(huán)、呋喃環(huán)、吡啶環(huán)、吡嗪環(huán)、咔唑環(huán)、呫噸環(huán)、喹啉環(huán)、異喹啉環(huán)、吖啶環(huán)、所述環(huán)的相應(yīng)取代基改性的結(jié)構(gòu),和通過(guò)經(jīng)由預(yù)定單元結(jié)構(gòu)偶合所述環(huán)或所述環(huán)的相應(yīng)取代基改性的結(jié)構(gòu)而形成的偶合結(jié)構(gòu),其中所述預(yù)定單元結(jié)構(gòu)為選自C-C偶合單元、烯屬雙偶合單元(C=C)和炔屬C-C三偶合單元的結(jié)構(gòu);
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專(zhuān)門(mén)適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專(zhuān)門(mén)適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過(guò)這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專(zhuān)門(mén)適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的
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