[發明專利]具有石墨烯晶體管的包絡檢波器

有效

• 申請號: 201210331632.7
• 申請日: 2012-09-07
• 公開（公告）號: CN102879625A
• 公開（公告）日: 2013-01-16
• 發明（設計）人: 呂宏鳴;肖柯;錢鶴;吳華強;伍曉明
• 申請（專利權）人: 清華大學
• 主分類號: G01R19/00
• 分類號: G01R19/00
• 代理公司: 北京清亦華知識產權代理事務所(普通合伙) 11201
• 代理人: 張大威

1.一種具有石墨烯晶體管的包絡檢波器，其特征在于，包括以下部分：

石墨烯晶體管，所述石墨烯晶體管的源極與地端相連，柵極與偏置電壓相連，漏極與工作電壓相連；

第一電感和第一電容，其中所述第一電感與所述第一電容并聯，連接在所述漏極與所述工作電壓之間；

第二電感，所述第二電感連接在所述柵極與所述偏置電壓之間；

第二電容，所述第二電容的一端與所述柵極相連，另一端與所述地端相連；

輸入端，所述輸入端通過第三電容與所述柵極相連；以及

輸出端，所述輸出端與所述漏極相連，

其中，所述石墨烯晶體管進一步包括：

襯底；

形成在所述襯底之上的過渡層；

形成在所述過渡層之上的金屬走線層和層間介質層，所述層間介質層填充在所述金屬走線層之間；

形成在所述層間介質層之上的連接線，其中，所述連接線的至少一部分與所述金屬走線層相連；

形成在所述層間介質層之上的源極、漏極和柵極，所述源極、漏極和柵極包括形成在所述層間介質層之上的金屬接觸層，其中，所述源極和漏極分別通過所述金屬接觸層與所述連接線相連；以及

形成在所述柵極之上的柵極介質層和形成在所述源極、漏極和柵極之上的溝道層，其中，所述溝道層為石墨烯薄膜。

2.如權利要求1所述的具有石墨烯晶體管的包絡檢波器，其特征在于，所述過渡層為通過熱氧化形成的SiO₂。

3.如權利要求1所述的具有石墨烯晶體管的包絡檢波器，其特征在于，所述層間介質層為通過沉積形成的SiO₂。

4.如權利要求1所述的具有石墨烯晶體管的包絡檢波器，其特征在于，所述第一電感、第二電感、第一電容以及第二電容與所述金屬走線層同時形成。

5.如權利要求1所述的具有石墨烯晶體管的包絡檢波器，其特征在于，所述柵極介質層為高介電常數材料Al₂O₃、HfO₂或HfSiON。

6.如權利要求1所述的具有石墨烯晶體管的包絡檢波器，其特征在于，所述源極、漏極和柵極在同一平面上。

7.如權利要求1所述的具有石墨烯晶體管的包絡檢波器，其特征在于，所述石墨烯薄膜通過Cu襯底上CVD后化學濕法轉移，或者Pt襯底上CVD后電化學法轉移形成。

8.如權利要求1所述的具有石墨烯晶體管的包絡檢波器，其特征在于，所述石墨烯晶體管還包括：形成在所述源極和漏極上的歐姆接觸。