[發(fā)明專利]一種局部放電特高頻檢測設(shè)備接收性能的標(biāo)定系統(tǒng)及方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210330955.4
• 申請日: 2012-09-07
• 公開（公告）號: CN102866375A
• 公開（公告）日: 2013-01-09
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 盧啟付;唐志國;姚森敬;許鶴林;呂鴻;李成榕;李興旺;彭向陽;王宇;王流火
• 申請（專利權(quán)）人: 廣東電網(wǎng)公司電力科學(xué)研究院;華北電力大學(xué)
• 主分類號: G01R35/00
• 分類號: G01R35/00
• 代理公司: 廣州知友專利商標(biāo)代理有限公司 44104
• 代理人: 周克佑

1.一種局部放電特高頻檢測設(shè)備接收性能的標(biāo)定系統(tǒng)，其特征是：包括依次以導(dǎo)線連接的GTEM傳輸小室、標(biāo)準(zhǔn)脈沖發(fā)生器、測控計算機和高速寬帶示波器，所述的高速寬帶示波器還另有分路信號至GTEM傳輸小室，所述的GTEM傳輸小室頂上開有專用測試窗口，放置有參考傳感器和被測傳感器，所述的參考傳感器和被測傳感器分別與所述的高速寬帶示波器連接。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的局部放電特高頻檢測設(shè)備接收性能的標(biāo)定系統(tǒng)，其特征是：所述的參考傳感器為短單極探針天線。

3.一種采用如權(quán)利要求1所述標(biāo)定系統(tǒng)的局部放電特高頻檢測設(shè)備接收性能的標(biāo)定方法，包括以下步驟：

S1首先測試并記錄參考傳感器-短單極探針天線對于入射場E_I的響應(yīng)V_Mr；

S2然后將待測傳感器安裝到GTEM傳輸小室頂上開有專用測試窗口，測量其輸出V_Ms；

S3被測傳感器的頻率響應(yīng)：

Hsens=UMsUMrHref]]>

S4在測量頻率（f₁,f₂）內(nèi)選取頻率采樣點數(shù)N，重復(fù)步驟S2和S3共N次，得各頻率點得等效高度；

S5被測傳感器在寬頻帶內(nèi)的接收特性，這里定義了在測量頻率（f₁,f₂）內(nèi)的平均等效高度，即在規(guī)定的測試頻帶內(nèi)，在各頻率點等效高度的累計平均值，具體表示為

Hmean=Σf1f2H(f)N---(5)]]>

這里N為參與計算的頻率采樣點數(shù)。