[發明專利]一種具有浮置環結構的雙極型晶體管

在審

• 申請號: 201210330637.8
• 申請日: 2012-09-09
• 公開（公告）號: CN103681816A
• 公開（公告）日: 2014-03-26
• 發明（設計）人: 崔京京;張作欽
• 申請（專利權）人: 蘇州英能電子科技有限公司
• 主分類號: H01L29/739
• 分類號: H01L29/739;H01L29/45
• 代理公司: 北京三聚陽光知識產權代理有限公司 11250
• 代理人: 張建綱

1.一種具有浮置環結構的雙極型三極管，自下而上包括襯底、緩沖區、集電區、基區以及發射區，在所述基區和集電區的邊界處分別成形有歐姆接觸區，發射極位于所述發射區上，集電極位于所述集電區的歐姆接觸區之上，基極位于所述基區的歐姆接觸區之上，其特征在于：在所述集電區的歐姆接觸區周圍成形有多個浮置環，所述浮置環位于所述集電區表面，并靠近所述歐姆接觸區。

2.根據權利要求1所述的具有浮置環結構的雙極型三極管，其特征在于：所述浮置環設置1-100個。

3.根據權利要求2所述的具有浮置環結構的雙極型三極管，其特征在于：所述浮置環設置40個。

4.根據權利要求1或2或3所述的具有浮置環結構的雙極型三極管，其特征在于：所述浮置環在所述集電區的歐姆接觸區周圍均勻設置。

5.根據權利要求1-4中任一項所述的具有浮置環結構的雙極型三極管，其特征在于：所述浮置環與所述集電區的歐姆接觸區的距離為0.1um-10um。

6.根據權利要求1-5中任一項所述的具有浮置環結構的雙極型三極管，其特征在于：所述浮置環為在所述集電區的漂移區通過離子注入并退火形成的環形浮空區域。

7.根據權利要求6所述的具有浮置環結構的雙極型三極管，其特征在于：所述離子為硼離子、鋁離子。

8.根據權利要求1-7中任一項所述的具有浮置環結構的雙極型三極管，其特征在于：在所述基區與所述集電區的邊界處也設置有浮置環。

9.根據權利要求1-8中任一項所述的浮置環結構的雙極型三極管，其特征在于：所述襯底為P⁺碳化硅襯底，所述緩沖區為P型碳化硅外延層。

10.根據權利要求1-9中任一項所述的浮置環結構的雙極型三極管，其特征在于：所述雙極型三極管為PNP或NPN型橫向雙極型三極管。