[發(fā)明專利]一種肖特基二極管的制備工藝

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210330298.3
• 申請日: 2012-09-07
• 公開（公告）號: CN102800587A
• 公開（公告）日: 2012-11-28
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 鄭若成
• 申請（專利權(quán)）人: 中國電子科技集團(tuán)公司第五十八研究所
• 主分類號: H01L21/329
• 分類號: H01L21/329
• 代理公司: 無錫市大為專利商標(biāo)事務(wù)所 32104
• 代理人: 殷紅梅

1.?一種肖特基二極管的制備工藝，其特征是：包括如下制備步驟：

a、工藝基底：所述工藝基底包括硅襯底（100）、場區(qū)二氧化硅（101）、硅化鈦（102）、第一介質(zhì)（103）、第二介質(zhì)（104）及鎢塞（105）；

（a-1）所述場區(qū)二氧化硅（101）形成在硅襯底（100）上；

（a-2）所述硅化鈦（102）通過鈦和硅襯底反應(yīng)形成，與硅襯底（100）之間為歐姆接觸，分別形成在場區(qū)二氧化硅（101）兩邊，并與場區(qū)二氧化硅（101）接觸；

（a-3）所述第一介質(zhì)（103）淀積形成在場區(qū)二氧化硅（101）上方；

（a-4）所述第二介質(zhì)（104）淀積形成在所述第一介質(zhì)（103）上方；?

（a-5）所述鎢塞（105）與場區(qū)二氧化硅（101）兩邊的硅化鈦（102）接觸，所述鎢塞（105）和硅襯底（100）為歐姆接觸；

b、涂布第一光刻膠：所述鎢塞（105）及第二介質(zhì)（104）的上方涂布光刻膠，通過曝光和顯影，去除肖特基孔區(qū)上的光刻膠，保留兩邊鎢塞（105）上方的第一光刻膠（106）；

c、熱堅膜：固化光刻膠，腐蝕去除肖特基孔區(qū)上的第一介質(zhì)（103）、第二介質(zhì)（104）和場區(qū)二氧化硅（101），使肖特基孔區(qū)對應(yīng)硅襯底（100）表面暴露；

所述的熱堅膜溫度在120～150℃，熱堅膜時間30min；?

d、去除鎢塞（105）上方的第一光刻膠（106），采用二號液清洗；再在硅襯底（100）表面上方淀積一層金屬鈦（107），所述金屬鈦（107）上方淀積一層金屬氮化鈦（108），經(jīng)退火處理，所述金屬鈦（107）和硅襯底（100）通過化學(xué)反應(yīng)形成肖特基硅化物（109）；所述退火溫度為560～670℃；所述退火時間30秒；

e、淀積金屬導(dǎo)電層（110），所述金屬導(dǎo)電層（110）淀積在氮化鈦（108）上方；所述的金屬導(dǎo)電層（110）將肖特基正極金屬鈦（107）、金屬氮化鈦（108）、將肖特基硅化物（109）引出，同時硅化鈦（102）、鎢塞（105）將肖特基二極管的負(fù)極引出；

f、涂布第二光刻膠（111），在金屬導(dǎo)電層（110）表層涂布第二光刻膠（111），并通過曝光和顯影，去除鎢塞（105）和肖特基孔外的光刻膠；

g、腐蝕金屬導(dǎo)電層（110）、金屬氮化鈦（108）及金屬鈦（107），無第二光刻膠（111）位置上的金屬導(dǎo)電層（110）、金屬氮化鈦（108）和金屬鈦（107）被腐蝕去除，露出第二介質(zhì)（104）；

h、去除鎢塞（105）和肖特基區(qū)上的第二光刻膠（111），經(jīng)清洗去除第二光刻膠（111），完成肖特基二極管的制備。

2.如權(quán)利要求1所述的一種肖特基二極管的制備工藝，其特征是：所述第一介質(zhì)（103）厚度在200nm~400nm；所述第二介質(zhì)（104）厚度在400nm~8000nm；所述場區(qū)二氧化硅（101）總厚度在300nm~500nm。

3.如權(quán)利要求1所述的一種肖特基二極管的制備工藝，其特征是：所述肖特基孔區(qū)下面對應(yīng)的介質(zhì)包括第一介質(zhì)（103）、第二介質(zhì)（104）和場區(qū)二氧化硅（101）。

4.如權(quán)利要求1所述的一種肖特基二極管的制備工藝，其特征是：所述第一介質(zhì)（103）為二氧化硅。

5.如權(quán)利要求1所述的一種肖特基二極管的制備工藝，其特征是：所述第二介質(zhì)（104）為二氧化硅。

6.如權(quán)利要求1所述的一種肖特基二極管的制備工藝，其特征是：所述第一光刻膠厚度1.8um~2.5um。

7.如權(quán)利要求1所述的一種肖特基二極管的制備工藝，其特征是：所述二號液為HCl:HO2O:H2O，混合質(zhì)量比：12:47:9500為混合物，所述金屬鈦（107）厚度為30nm~50nm，所述金屬氮化鈦（108）厚度為80nm~120nm。

8.如權(quán)利要求1所述的一種肖特基二極管的制備工藝，其特征是：所述金屬導(dǎo)電層（110）為鋁硅合金或者鋁硅銅合金，厚度在400nm~1100nm。

9.如權(quán)利要求1所述的一種肖特基二極管的制備工藝，其特征是：所述第二光刻膠厚度1.8um~2.5um。