[發(fā)明專利]微波處理裝置及其控制方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210330294.5 | 申請日: | 2012-09-07 |
| 公開(公告)號: | CN103000554A | 公開(公告)日: | 2013-03-27 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 蘆田光利 | 申請(專利權(quán))人: | 東京毅力科創(chuàng)株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/268 |
| 代理公司: | 北京尚誠知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11322 | 代理人: | 龍淳 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 微波 處理 裝置 及其 控制 方法 | ||
1.一種微波處理裝置,其特征在于,包括:
收容被處理體的處理容器;
生成用于處理所述被處理體的微波并導(dǎo)入所述處理容器的微波導(dǎo)入裝置;和
控制所述微波導(dǎo)入裝置的控制部,
所述微波導(dǎo)入裝置具有:生成所述微波的多個(gè)微波源;和將在所述多個(gè)微波源中生成的所述微波傳送到所述處理容器的多個(gè)傳送通路,能夠?qū)⒍鄠€(gè)所述微波同時(shí)導(dǎo)入所述處理容器,
所述控制部,在將多個(gè)所述微波同時(shí)導(dǎo)入所述處理容器的第一狀態(tài)繼續(xù)的期間,有選擇地且暫時(shí)地切換為在所述多個(gè)微波源中的一個(gè)微波源中生成所述微波,僅將該微波導(dǎo)入所述處理容器的第二狀態(tài)。
2.如權(quán)利要求1所述的微波處理裝置,其特征在于:
所述微波導(dǎo)入裝置還具有用于檢測所述多個(gè)傳送通路的來自所述處理容器的反射波的多個(gè)檢測器,
所述第一狀態(tài)為用于處理所述被處理體的主要的狀態(tài),
所述第二狀態(tài)為用于檢測所述傳送通路的反射波的狀態(tài)。
3.如權(quán)利要求2所述的微波處理裝置,其特征在于:
所述控制部根據(jù)在所述第二狀態(tài)中檢測出的反射波的電能,進(jìn)行所述第二狀態(tài)中生成所述微波的微波源與所述處理容器之間的阻抗匹配。
4.如權(quán)利要求2或3所述的微波處理裝置,其特征在于:
所述控制部根據(jù)在所述第一狀態(tài)中檢測的反射波的電能,決定在所述第二狀態(tài)中生成所述微波的微波源。
5.如權(quán)利要求2或3所述的微波處理裝置,其特征在于:
所述多個(gè)微波源包括:
多個(gè)第一種類的微波源,其將在所述第一狀態(tài)中生成所述微波的狀態(tài)與不生成所述微波的狀態(tài)交替地反復(fù)多次;和
多個(gè)第二種類的微波源,其以不與所述多個(gè)第一種類的微波源同時(shí)生成所述微波的方式,將在所述第一狀態(tài)中生成所述微波的狀態(tài)與不生成所述微波的狀態(tài)交替地反復(fù)多次。
6.如權(quán)利要求5所述的微波處理裝置,其特征在于:
從所述第一狀態(tài)向所述第二狀態(tài)的切換,在所述第二狀態(tài)中生成所述微波的微波源從在所述第一狀態(tài)中不生成所述微波的狀態(tài)切換為生成所述微波的狀態(tài)的時(shí)刻進(jìn)行。
7.如權(quán)利要求6所述的微波處理裝置,其特征在于:
所述第二狀態(tài)繼續(xù)的時(shí)間為,在所述第二狀態(tài)中生成所述微波的微波源,在所述第一狀態(tài)中每一次生成所述微波的狀態(tài)的時(shí)間以下,
在從所述第二狀態(tài)切換為所述第一狀態(tài)的前后,使在所述第二狀態(tài)中生成所述微波的微波源生成所述微波的狀態(tài)繼續(xù)的時(shí)間與所述每一次的時(shí)間相等。
8.如權(quán)利要求2或3所述的微波處理裝置,其特征在于:
所述微波用于對所述被處理體進(jìn)行照射來處理所述被處理體。
9.一種微波處理裝置的控制方法,所述微波處理裝置包括:
收容被處理體的處理容器;和
生成用于處理所述被處理體的微波并導(dǎo)入所述處理容器的微波導(dǎo)入裝置,
所述微波導(dǎo)入裝置具有:生成所述微波的多個(gè)微波源;和將在所述多個(gè)微波源中生成的所述微波傳送到所述處理容器的多個(gè)傳送通路,能夠?qū)⒍鄠€(gè)所述微波同時(shí)導(dǎo)入所述處理容器,
在將多個(gè)所述微波同時(shí)導(dǎo)入所述處理容器的第一狀態(tài)繼續(xù)的期間,有選擇地且暫時(shí)地切換為在所述多個(gè)微波源中的一個(gè)微波源中生成所述微波,僅將該微波導(dǎo)入所述處理容器的第二狀態(tài)。
10.如權(quán)利要求9所述的微波處理裝置的控制方法,其特征在于:
所述微波導(dǎo)入裝置還具有用于檢測所述多個(gè)傳送通路的來自所述處理容器的反射波的多個(gè)檢測器,
所述第一狀態(tài)為用于處理所述被處理體的主要的狀態(tài),
所述第二狀態(tài)為用于檢測所述多個(gè)傳送通路中的、傳送在所述第二狀態(tài)中生成的所述微波的傳送通路的反射波的狀態(tài)。
11.如權(quán)利要求10所述的微波處理裝置的控制方法,其特征在于:
根據(jù)在所述第二狀態(tài)中檢測出的反射波的電能,進(jìn)行所述第二狀態(tài)中生成所述微波的微波源與所述處理容器之間的阻抗匹配。
12.如權(quán)利要求10或11所述的微波處理裝置的控制方法,其特征在于:
根據(jù)在所述第一狀態(tài)中檢測的反射波的電能,決定在所述第二狀態(tài)中生成所述微波的微波源。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
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H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





