[發明專利]鐵電光伏器件及其制備方法有效
| 申請號: | 201210329966.0 | 申請日: | 2012-09-07 |
| 公開(公告)號: | CN102832266A | 公開(公告)日: | 2012-12-19 |
| 發明(設計)人: | 蘇曉東;代智華 | 申請(專利權)人: | 蘇州大學 |
| 主分類號: | H01L31/0224 | 分類號: | H01L31/0224;H01L31/04;H01L31/18 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 電光 器件 及其 制備 方法 | ||
技術領域
本發明屬于光電轉換和光伏技術領域,尤其是涉及一種鐵電光伏器件及其制備方法。
背景技術
鐵電材料的光伏效應上世紀六、七十年代就已發現,該類器件廣泛應用于光電檢測和光電能量轉換領域。研究表明,鐵電材料在光照下會產生一種體光伏效應(Bulk?photovoltaic?effect),即其光伏效應存在于整個材料內部,器件的開路電壓(Voc)和厚度有一定的正比關系,可以達到較高的值。相比之下,通常應用于光電轉換和光電檢測的半導體pn結器件,其光伏效應主要產生于厚度數百納米的結區,器件的Voc受半導體材料帶隙的制約,通常小于1V。因此,具有極高的Voc是鐵電光伏器件的最主要優勢。但是,由于大多數鐵電材料屬于寬帶隙半導體材料,其光吸收能力極弱,通常只能在紫外光照射下產生光生電子-空穴對,同時導電性很差,其光電流極低,難以滿足應用的需求。近年鐵電光伏研究又重新興起,主要關注點是如何提高光電轉換效率,特別是提高光電流,從而獲得實際應用。
本發明以摻鑭鋯酸鈦鉛[(Pb,La)(Zr,Ti)O3,PLZT]為例說明一種新的設計思路和制備方法。PLZT是一種較成熟透明鐵電陶瓷材料,其光學特性可通過電場、或拉伸和壓縮而改變,廣泛用于各種光電存儲器和顯示設備中。同時,PLZT的光伏效應也受到廣泛關注。通常,該類器件具有電極/PLZT/電極三明治結構,其光伏性能主要受PLZT材料性能、外加極化場以及電極性能的影響。PLZT的帶隙約為3.4eV,即只有能量高于該值的光才能被吸收產生電子-空穴對;然后這些電子-空穴對在極化鐵電材料的退極化場(Epi)作用下,分別向兩個電極輸運,從而形成光生電壓和光電流。實驗表明,器件在太陽光照射下,太陽光譜中高于3.4eV的光不超過5%,器件的光電流僅在皮安量級,而光電壓可以很高。因此,要提高器件的光電流,必須首先提高器件中的光生載流子濃度。
對于PLZT光伏器件,通常采用貴金屬(如Pt、Au等)作為電極材料。我們知道,金屬中具有較多的電子,在特定波長光的照射下,金屬表面能夠發射電子到真空能級,該現象稱為光電效應。發射出的電子叫光電子,在外加電場作用下形成的電流叫光電流。如果金屬電極中的電子能夠通過光照射進入到PLZT,則可以大大提高PLZT中的載流子濃度,從而提高器件的光電流。但是,Pt、Au等貴金屬通常具有較高的功函數,會在金屬/PLZT界面形成較高的肖特基能壘(Schottky?barrier),從而阻礙了金屬中受激電子注入到PLZT,該種光伏器件雖然具有極高的光生電壓,但光電流極低。
我們相信,即使是Pt和Au這兩種高功函數金屬,也存在這樣的光電效應,有極少部分金屬中的電子能夠注入PLZT,參與PLZT的光伏效應,但是由于其效應微弱,金屬的光電效應在這類器件中往往被忽視。
發明內容
針對現有技術的不足,本發明解決的技術問題是提供一種鐵電光伏器件及其制備方法,該光伏器件的光伏特性特別是光電流得以大幅提升。
為解決上述技術問題,本發明的技術方案是這樣實現的:
本發明公開了一種鐵電光伏器件,包括上電極、金屬下電極以及位于該兩電極之間的鐵電材料薄片,其中,所述金屬下電極的功函數在2~5電子伏特之間。
優選的,在上述鐵電光伏器件中,所述金屬下電極為Ag、Al或Mg電極。
優選的,在上述鐵電光伏器件中,所述上電極為氧化銦錫(ITO)或鋁摻雜氧化鋅(AZO)。
優選的,在上述鐵電光伏器件中,所述鐵電材料為摻鑭鋯酸鈦鉛(PLZT)、鋯鈦酸鉛(PZT)、鈦酸鋇(BTO)或鉍鐵氧(BFO)。
優選的,在上述鐵電光伏器件中,所述鐵電材料的厚度為0.1~1000μm。
本發明還公開了一種PLZT鐵電光伏器件的制備方法,其特征在于,包括:
(1)制備PLZT薄片;
(2)在PLZT薄片上通過物理濺射方法沉積上電極和金屬下電極。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





