[發明專利]一種提高對位標記清晰度的方法

有效

• 申請號: 201210329883.1
• 申請日: 2012-09-07
• 公開（公告）號: CN102856164A
• 公開（公告）日: 2013-01-02
• 發明（設計）人: 胡駿
• 申請（專利權）人: 無錫華潤上華科技有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L23/544;G03F9/00
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 馬曉亞

技術領域

本發明涉及半導體器件制造技術領域，特別涉及一種提高對位標記清晰度的方法。

背景技術

在半導體器件制造前段的過程中，對晶圓的處理需要經過：激光首次打標（Zero?Mark），外延層的生長（EPI），淺溝槽隔離結構的光刻（SDG?PHOTO）等工藝步驟。其中，利用激光在晶圓表面設置對位標記可以為后續的淺溝槽隔離結構的光刻步驟提供前層對位的標記。在光刻的過程中，如果由于對位不準而引起錯位，會造成圖形歪曲或套準失準，最終影響到所制造的半導體器件的電特性。因此，在整個晶圓制造工藝流程中，保持對位標記的清晰度有著很重要的意義。

然而，就目前普遍采用的工藝流程來說，在外延層生長后，由于外延層半透明的特性，會使底層的對位標記變得很不清晰，從而造成后續的光刻經常對位失敗。圖1是現有技術中激光打標后，外延層生長前的晶圓示意圖，圖2是現有技術中激光打標后，外延層生長后的晶圓示意圖，如圖1、圖2所示，101是外延層生長前的對位標記，201是外延層生長后的對位標記。由圖可以看出，在外延層生長后，對位標記清晰度明顯降低。為了能看清底層的對位標記，只能增加激光首次打標的深度，但是，這樣也會有很多其它的負面影響。

發明內容

本發明要解決的技術問題是提供了一種提高對位標記清晰度的方法，以克服外延層對底層激光標記清晰度的影響，避免后續光刻步驟對位失敗的問題。

本發明公開了一種提高對位標記清晰度的方法，包括：

在晶圓表面刻蝕對位標記；

在所述晶圓上進行外延層的生長；

去除覆蓋對位標記部分的外延層，使得晶圓表面的對位標記露出。

優選地，所述去除覆蓋對位標記部分的外延層，使得晶圓表面的對位標記露出，包括：

根據所述對位標記的位置，對所述外延層進行光刻；

對所述進行光刻后的外延層刻蝕，把覆蓋在對位標記部分的外延層刻蝕掉，使晶圓表面的對位標記顯露出來。

優選地，所述方法通過激光刻蝕在晶圓表面刻蝕對位標記。

優選地，所述方法在晶圓表面刻蝕對位標記后，還包括：

進行光刻和離子注入以在晶圓表面形成埋層。

優選地，所述對位標記用于為淺溝槽隔離結構光刻步驟提供與前層對位的參照。

優選地，所述對所述外延層進行光刻定義覆蓋對位標記的區域為需要去除外延層的區域。

優選地，所去除的外延層面積與對位標記所占用面積相同。

本發明實施例通過在外延層生長工藝步驟后，利用光刻和刻蝕去除對位標記位置的外延層，使得底層的對位標記顯露出來，為后續的淺溝槽隔離結構的光刻步驟提供清晰的的對位標記，從而顯著提高了光刻對位的準確度，消除了對位失敗的問題。

附圖說明

下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發明的一些實施例，對于本領域普通技術人員而言，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。

圖1是現有技術中對位標記形成后，外延層生長前的晶圓俯視示意圖；

圖2是現有技術中對位標記形成后且外延層生長完成后的晶圓俯視示意圖；

圖3是本發明第一實施例提供的提高對位標記清晰度的方法的流程圖；

圖4是經過本發明第一實施例方法處理后的晶圓俯視示意圖；

圖5是經過本發明第一實施例方法處理后的晶圓截面示意圖；

圖6是本發明第二實施例提供的提高對位標記清洗度的方法的流程圖；

圖7是經過第二實施例方法處理后的晶圓的截面示意圖。

具體實施方式

下面結合附圖并通過具體實施方式來進一步說明本發明的技術方案。可以理解的是，此處所描述的具體實施例僅僅用于解釋本發明，而非對本發明的限定。另外還需要說明的是，為了便于描述，附圖中僅示出了與本發明相關的步驟而非全部過程。

圖3是本發明第一實施例提供的提高對位標記清晰度的方法的流程圖。如圖3所示，所述方法包括：

步驟301、在晶圓表面刻蝕對位標記。

在本發明的一個實施方式中，可以如圖1所示用激光來進行對位標記的刻蝕，通過激光在晶圓的上下左右的預定位置各打出一個十字形的對位標記。當然，標記的形式和位置不局限于圖中所示的形式和位置，只要能夠為后續步驟提供對位功能即可。所述對位標記是用來為后續的淺溝槽隔離結構光刻步驟提供前層對位的。

步驟302、在所述晶圓上進行外延層的生長。