[發(fā)明專利]光掩模坯料、光掩模和制造方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201210329820.6 | 申請(qǐng)日: | 2012-09-07 |
| 公開(公告)號(hào): | CN102998894A | 公開(公告)日: | 2013-03-27 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 稻月判臣;五十嵐慎一;西川和宏;吉川博樹 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 信越化學(xué)工業(yè)株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | G03F1/32 | 分類號(hào): | G03F1/32 |
| 代理公司: | 中國國際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專利商標(biāo)事務(wù)所 11038 | 代理人: | 李躍龍 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 光掩模 坯料 制造 方法 | ||
1.一種光掩模坯料,包含透明襯底、布置于該襯底上且由含有過渡金屬和硅的材料構(gòu)成的光學(xué)膜、以及用于精密加工光學(xué)膜的硬掩模膜,其中
所述硬掩模膜為鉻襯底料的多層膜,該多層膜包括鄰接于光學(xué)膜布置的第一層和鄰接于第一層設(shè)置的第二層,所述第一層由含有20-60原子%氧的鉻襯底料構(gòu)成,且具有0.5nm至小于5.0nm的厚度,所述第二層由含有至少50原子%鉻的鉻襯底料構(gòu)成,且其氧含量小于第一層,且
所述硬掩模膜具有2.0nm至小于10nm的總厚度。
2.權(quán)利要求1的光掩模坯料,其中所述多層膜包括作為最下層的第一層、作為中間層的第二層、和作為最外層的第三層,該第三層鄰接于第二層布置,并具有高于第二層的氧含量。
3.權(quán)利要求1的光掩模坯料,其中所述第一層具有0.5-3.0nm的厚度。
4.權(quán)利要求1的光掩模坯料,其中所述光學(xué)膜是遮光膜。
5.權(quán)利要求4的光掩模坯料,其中所述遮光膜具有35-60nm的厚度。
6.權(quán)利要求1的光掩模坯料,其中過渡金屬是鉬。
7.權(quán)利要求1的光掩模坯料,在硬掩模膜上還包含厚度為小于100nm的抗蝕膜。
8.一種光掩模,其由權(quán)利要求1的光掩模坯料制成。
9.一種由權(quán)利要求7的光掩模坯料制造光掩模的方法,包括如下步驟:使抗蝕膜圖案化,使硬掩模膜圖案化,和使光學(xué)膜圖案化,
使抗蝕膜圖案化的步驟包括通過電子束照射進(jìn)行影像寫入,
使硬掩模膜圖案化的步驟包括使用含氧的氯基氣體進(jìn)行干法蝕刻,和
使光學(xué)膜圖案化的步驟包括使用氟基氣體進(jìn)行干法蝕刻。
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G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導(dǎo)體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設(shè)備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長(zhǎng)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學(xué)臨近校正(OPC)設(shè)計(jì)工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準(zhǔn)或測(cè)試的特殊涂層或標(biāo)記;其制備
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