[發(fā)明專利]一種復(fù)合掩模板組件

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210329246.4
• 申請(qǐng)日: 2012-09-07
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103668052A
• 公開(kāi)（公告）日: 2014-03-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 魏志凌;高小平;潘世珎
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 昆山允升吉光電科技有限公司
• 主分類號(hào): C23C14/04
• 分類號(hào): C23C14/04;C23C16/04
• 代理公司: 暫無(wú)信息
• 代理人: 暫無(wú)信息

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及電子印刷領(lǐng)域，尤其涉及一種復(fù)合掩模板組件。

背景技術(shù)

由于有機(jī)電致發(fā)光二極管(Organic?Light-Emitting?Diode，OLED)由于同時(shí)具備自發(fā)光，不需背光源、對(duì)比度高、厚度薄、視角廣、反應(yīng)速度快、可用于撓曲性面板、使用溫度范圍廣、構(gòu)造及制程較簡(jiǎn)單等優(yōu)異之特性，被認(rèn)為是下一代的平面顯示器新興應(yīng)用技術(shù)。

OLED生產(chǎn)過(guò)程中最重要的一環(huán)節(jié)是將有機(jī)層按照驅(qū)動(dòng)矩陣的要求敷涂到基層上，形成關(guān)鍵的發(fā)光顯示單元。OLED是一種固體材料，其高精度涂覆技術(shù)的發(fā)展是制約OLED產(chǎn)品化的關(guān)鍵。目前完成這一工作，主要采用真空沉積或真空熱蒸發(fā)（VTE）的方法，其是將位于真空腔體內(nèi)的有機(jī)物分子輕微加熱（蒸發(fā)），使得這些分子以薄膜的形式凝聚在溫度較低的基層上。在這一過(guò)程中需要與OLED發(fā)光顯示單元精度相適應(yīng)的高精密掩模板組件作為媒介。

圖1所示是一種用于OLED蒸鍍用掩模板組件的結(jié)構(gòu)示意圖，其由具有掩模圖案10的掩模主體11與固定掩模主體11用的外框12構(gòu)成，其中掩模主體11、外框12均為金屬材料。圖2?所示為圖1中A-A所示的截面放大示意圖，20為掩模部，21為有機(jī)材料蒸鍍時(shí)在基板上形成薄膜的通道，由于掩模主體11一般是金屬薄片通過(guò)蝕刻等工藝制得，構(gòu)成其掩模圖案（10）的掩模部（20）、通道（21）的尺寸（如：兩通道的中心間距尺寸d1）會(huì)受到金屬薄片本身厚度h和工藝的限制，從而限制最終OLED產(chǎn)品的分辨率。另外，若制作大尺寸掩模板，其金屬型的掩模主體11會(huì)具有較大的質(zhì)量，從而會(huì)導(dǎo)致掩模主體11板面產(chǎn)生下垂（即板面下凹），這對(duì)精度要求較高的掩模蒸鍍過(guò)程是不利的。鑒于此，業(yè)內(nèi)亟需一種能夠解決此問(wèn)題的方案。?

發(fā)明內(nèi)容

有鑒于此，需要克服現(xiàn)有技術(shù)中的上述缺陷中的至少一個(gè)。本發(fā)明提供了一種復(fù)合掩模板組件。

所述復(fù)合掩模板組件，包括掩模主體和掩模框，其特征在于，所述掩模主體包括兩層結(jié)構(gòu)，掩模層和支撐層，所述掩模層包括有開(kāi)口，所述開(kāi)口構(gòu)成掩模板圖案區(qū)；所述支撐層包括有與所述掩模層開(kāi)口相對(duì)應(yīng)的支撐條，所述支撐層與所述掩模層緊密結(jié)合，起到對(duì)所述掩模層支撐作用，且所述支撐層不會(huì)對(duì)所述開(kāi)口形成遮擋。

根據(jù)本專利背景技術(shù)中對(duì)現(xiàn)有技術(shù)所述，若制作大尺寸掩模板，其金屬型的掩模主體會(huì)具有較大的質(zhì)量，從而會(huì)導(dǎo)致掩模主體板面產(chǎn)生下垂，而根據(jù)本發(fā)明提供的復(fù)合掩模板，可以對(duì)下垂的掩模主體提供一定的支撐力，降低或彌補(bǔ)掩模主體板面產(chǎn)生下垂的情況，改善產(chǎn)品的精度、質(zhì)量，并提高良品率。

另外，根據(jù)本發(fā)明公開(kāi)的復(fù)合掩模板組件的還具有如下附加技術(shù)特征：

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，所述復(fù)合掩模板至少有一個(gè)掩模圖案區(qū)。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，所述復(fù)合掩模板上任一所述掩模層開(kāi)口置于所述支撐層中相鄰的兩個(gè)所述支撐條之間，相鄰的所述支撐條的間距是所述掩模層開(kāi)口間距的n倍，所述n大于等于1且為正整數(shù)。

所述掩模板開(kāi)口以矩陣方式分布在掩模圖案區(qū)域上，支撐層的支撐條以一定的間距d2分布在所述掩模板開(kāi)口的掩模部上，兩相鄰的所述支撐條間的間距為d3，d2、d3有如下關(guān)系：d3=n×d2（n為1、2、3、4……）。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，n=2或3或4或5或6。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，所述支撐層采用具有磁性能的合金材料。

優(yōu)選地，所述支撐層采用因瓦合金材料。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，所述掩模層采用耐磨、耐高溫、耐酸堿且與所述支撐層之間有良好附著力的材料。

優(yōu)選地，所述掩模層采用性能穩(wěn)定的聚合高分子材料。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，所述支撐層厚度h1大于等于2μm，小于等于20μm。

優(yōu)選地，所述支撐層厚度h1為2μm或6μm或10或14μm或18μm或20μm。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，所述掩模層厚度h2大于等于20μm，小于等于60μm。

優(yōu)選地，所述掩模層厚度h2為20μm或30μm或40μm或50μm或60μm。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，h1=6μm，h2=30μm。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，所述掩模層開(kāi)口通過(guò)鐳射工藝刻制。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，所述支撐層通過(guò)蝕刻或電鑄或激光切割工藝制備。

優(yōu)選地，所述支撐層可以是通過(guò)蝕刻工藝制備。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，所述掩模板開(kāi)口邊緣可以是垂直直角或是倒角或是過(guò)渡曲線。

其中，所述掩模板開(kāi)口邊緣為倒角或是過(guò)渡曲線可以更大限度的避免對(duì)蒸鍍過(guò)程中蒸鍍材料揮發(fā)過(guò)程的影響。