[發明專利]一種基于石墨烯的表面傳導電子發射源

有效

• 申請號: 201210329143.8
• 申請日: 2012-09-07
• 公開（公告）號: CN102856139A
• 公開（公告）日: 2013-01-02
• 發明（設計）人: 李福山;郭太良;吳朝興;張永志;寇麗杰;張蓓蓓
• 申請（專利權）人: 福州大學
• 主分類號: H01J1/304
• 分類號: H01J1/304
• 代理公司: 福州元創專利商標代理有限公司 35100
• 代理人: 蔡學俊

1.一種基于石墨烯的表面傳導電子發射源，包括一基板和平行設置于所述基板表面上的兩個電極，其特征在于：兩個所述電極之間間隙及電極外旁側設置有納米材料層，兩個所述電極或其中之一的上部設置有石墨烯薄膜元件，所述石墨烯薄膜元件的一旁側或兩旁側向外延伸。

2.根據權利要求1所述的一種基于石墨烯的表面傳導電子發射源，其特征在于：所述石墨烯薄膜元件一旁側固定于所述電極上，另一旁側向另一個電極方向延伸，并由所述納米材料層支撐，所述納米材料層既作為所述石墨烯薄膜元件的支撐體，又作為二次電子發射源。

3.根據權利要求1所述的一種基于石墨烯的表面傳導電子發射源，其特征在于：所述石墨烯薄膜元件中部固定于所述電極上，兩旁側分別向兩側納米材料層方向延伸，并由所述納米材料層支撐，所述納米材料層既作為所述石墨烯薄膜元件的支撐體，又作為二次電子發射源。

4.根據權利要求1所述的一種基于石墨烯的表面傳導電子發射源，其特征在于：兩個所述電極之間間隙的寬度為10微米至100微米。

5.根據權利要求1所述的一種基于石墨烯的表面傳導電子發射源，其特征在于：設于所述電極上部的石墨烯薄膜元件與另外一個電極或設于另外一個電極上部的石墨烯薄膜元件之間具有一定的間距。

6.根據權利要求1所述的一種基于石墨烯的表面傳導電子發射源，其特征在于：所述納米材料層為納米材料陣列。

7.根據權利要求6所述的一種基于石墨烯的表面傳導電子發射源，其特征在于：所述納米材料陣列為納米線陣列、納米棒陣列、納米錐陣列或納米球陣列。

8.根據權利要求6所述的一種基于石墨烯的表面傳導電子發射源，其特征在于：所述納米材料陣列具有二次電子發射能力。

9.根據權利要求6所述的一種基于石墨烯的表面傳導電子發射源，其特征在于：所述納米材料陣列表面涂覆具有二次電子發射性能的薄膜。

10.根據權利要求1所述的一種基于石墨烯的表面傳導電子發射源，其特征在于：所述石墨烯薄膜元件為石墨烯薄膜或氧化石墨烯薄膜。