[發(fā)明專利]入射電容式傳感器有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210328798.3 | 申請日: | 2012-09-07 |
| 公開(公告)號: | CN102997944B | 公開(公告)日: | 2016-11-23 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | M·D·豪爾;M·D·施洛夫 | 申請(專利權(quán))人: | 飛思卡爾半導體公司 |
| 主分類號: | G01D5/24 | 分類號: | G01D5/24;G01T1/00;G01T1/02;G01J1/42 |
| 代理公司: | 中國國際貿(mào)易促進委員會專利商標事務(wù)所 11038 | 代理人: | 陳華成 |
| 地址: | 美國得*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 入射 電容 傳感器 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及電容式傳感器,更具體地涉及入射電容式傳感器。
背景技術(shù)
電容式傳感器是一種其電容基于被測量的參數(shù)而變化的傳感器。
附圖說明
通過參考附圖,本發(fā)明可以更好地理解,其多個目的、特征以及益處對本領(lǐng)域技術(shù)人員變得非常明顯。
圖1-3是根據(jù)本發(fā)明一個實施例,展示制作入射電容式傳感器器件的不同階段的部分截面圖。
圖4是根據(jù)本發(fā)明一個實施例,展示入射電容式傳感器器件的部分截面圖。
圖5是根據(jù)本發(fā)明一個實施例的入射電容式傳感器器件的部分截面圖。
圖6是根據(jù)本發(fā)明一個實施例的傳感器陣列的頂視圖。
圖7是根據(jù)本發(fā)明一個實施例的傳感器系統(tǒng)的電路圖。
圖8是根據(jù)本發(fā)明一個實施例的流程圖,該流程圖展示操作傳感器系統(tǒng)的方法。
圖9是根據(jù)本發(fā)明一個實施例的曲線圖,所述曲線圖展示施加到電容器的一個板上的各種可能電壓值。
圖10是根據(jù)本發(fā)明一個實施例,展示入射電容式傳感器器件的部分截面圖。
圖11是根據(jù)本發(fā)明一個實施例的傳感器陣列的頂視圖。
不同附圖中所用的相同的參考符號表示相同的要素,除非另有說明。附圖沒有必要按比例繪制。
具體實施方式
以下內(nèi)容闡明了實施本發(fā)明一個模式的詳細描述。所述描述意圖例示本發(fā)明,而不應解釋為限制性的。
正如本發(fā)明所描述的,公開了入射電容式傳感器器件,所述電容式傳感器器件包括傳感器區(qū)域,在傳感器區(qū)域中,由于每個傳感器區(qū)域?qū)е碌碾娙菘梢元毩⑦M行測量并且用于確定穿過窗口的輻射的參數(shù)。在一些例子中,根據(jù)被測輻射的方向,頂板或其它結(jié)構(gòu)會(部分地或完全地)阻止來自傳感器的輻射。影響電容的輻射可以是可見范圍或不可見范圍中(例如,紫外線、紅外線、X射線)的波長輻射或粒子輻射(例如,阿爾法粒子或重離子)。電容測量可用于確定輻射入射角度的一個分量。
圖1-3是電容式傳感器器件在其制作的不同階段的部分截面圖。圖1是晶圓101的部分截面圖。在所示的實施例中,晶圓101包括在絕緣體配置上的半導體(SOI),其中半導體材料層105位于絕緣層103上面。在一個實施例中,層103由二氧化硅構(gòu)成,但在其它實施例中可以由其它電介質(zhì)構(gòu)成。在一些實施例中,層103可位于主體襯底層(例如硅)(未顯示)上面。在其它實施例中,晶圓101可以是體晶圓,而絕緣層103不存在。
在一個實施例中,層105由單晶硅構(gòu)成,但可以由其它半導體材料(例如硅鍺、碳化硅、氮化鎵、鎵砷化物或其它III-V族半導體材料)或其它材料類型構(gòu)成。在所示的實施例中,層105輕微摻雜導電摻雜劑。在一個實施例中,層105摻雜有P類型摻雜劑(例如,硼),所述摻雜劑具有在每立方厘米1016—1018的原子范圍的濃度,但在其它實施例中,可以以其它濃度或用其它雜質(zhì)摻雜。
在一些實施例中,層103是通過將離子植入到襯底形成的。在其它實施例中,層105沉積在層103上面。在一些實施例中,層105是從施主晶圓形成的(未顯示)。
在一些實施例中,層105的材料類型將根據(jù)電容式傳感器測量的輻射類型而定。在一些用于測量波長輻射的實施例中,層105的材料具有光子吸收截面,要被測量的期望波長輻射下的光子在所述截面被吸收以產(chǎn)生電子-空穴對。以下表格中所列的是襯底材料以及波長范圍,在所述波長范圍,入射輻射在襯底中被吸收以產(chǎn)生空穴電子對。
在一些測量粒子輻射的實施例中,碰撞材料的晶格的粒子會擾亂晶格并將能量轉(zhuǎn)移給材料的原子,從而導致產(chǎn)生電子-空穴對。在一個實施例中,所用的材料類型具有一個吸收截面,所述截面相關(guān)于被測輻射的粒子能量和/或粒子大小。在一些實施例中,在任何電子-空穴對產(chǎn)生之前,輻射可以高于特定閾值。
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