[發(fā)明專利]陣列基板的制造方法及陣列基板、顯示裝置

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210328692.3
• 申請日: 2012-09-06
• 公開（公告）號: CN102832170A
• 公開（公告）日: 2012-12-19
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 曾勉;金在光
• 申請（專利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司;合肥京東方光電科技有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;H01L29/786;H01L27/02;G02F1/1362;G02F1/1368
• 代理公司: 北京中博世達(dá)專利商標(biāo)代理有限公司 11274
• 代理人: 申健

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板的制造方法及陣列基板、顯示裝置。

背景技術(shù)

目前，薄膜場效應(yīng)晶體管液晶顯示器(Thin?Film?Transistor?Liquid?Crystal?Display，簡稱TFT-LCD)在顯示技術(shù)領(lǐng)域中得到了廣泛的應(yīng)用。TFT-LCD中的薄膜場效應(yīng)晶體管(Thin?Film?Transistor，簡稱TFT)有多種，常用的為非晶硅薄膜場效應(yīng)晶體管(a-Si?Thin?Film?Transistor，簡稱a-Si?TFT)、氧化物薄膜場效應(yīng)晶體管(Oxide?Thin?Film?Transistor，簡稱Oxide?TFT)，其中，Oxide?TFT由于其遷移率較高、透光性好、薄膜結(jié)構(gòu)穩(wěn)定、制備溫度低等優(yōu)點，因此Oxide?TFT在TFT-LCD中得到了廣泛的應(yīng)用。

如圖1(a)所示，一般陣列基板包括像素部分11(Pixel?Part)、數(shù)據(jù)墊(Data?Pad)12以及柵極墊(Gate?Pad)13，所述數(shù)據(jù)墊12與柵極墊13位于所述像素部分11的周邊。如圖1(b)所示，在當(dāng)前的Oxide?TFT-LCD的陣列基板的制造工藝中，在基板上形成像素電極層111之前，需要在已形成源極101、漏極102以及數(shù)據(jù)墊圖案103的基板上形成鈍化層104，刻蝕所述鈍化層104以形成所述鈍化層104的第一過孔105及第三過孔106，刻蝕所述鈍化層104及柵絕緣層108以形成第二過孔109，其中所述第一過孔105與所述漏極102對應(yīng)，所述第二過孔109與柵極墊圖案110對應(yīng)，所述第三過孔106與數(shù)據(jù)墊圖案103對應(yīng)。

在實現(xiàn)本發(fā)明實施例的過程中，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)現(xiàn)有技術(shù)中至少存在如下問題：

在形成第一過孔、第二過孔及第三過孔時，形成第一過孔和第三過孔只需要刻蝕一層鈍化層，較容易形成，而形成第二過孔上需要刻蝕柵絕緣層和鈍化層共兩層，且Oxide?TFT-LCD陣列基板中，柵絕緣層和刻蝕阻擋層材料一般為二氧化硅，二氧化硅具有刻蝕速率較慢的特點，造成形成第二過孔較慢，最終造成陣列基板的第二過孔處刻蝕不完全或者第一過孔及第三過孔處刻蝕過多，從而將會影響到整個Oxide?TFT-LCD的陣列基板的良率以及性能。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的實施例提供一種陣列基板的制造方法及陣列基板，能夠解決現(xiàn)有技術(shù)中由于形成第一過孔與第三過孔較快，而形成第二過孔較慢，最終造成陣列基板的第二過孔處刻蝕不完全或者第一過孔及第三過孔處刻蝕過多，從而將會影響到整個陣列基板的良率以及性能的問題。

為達(dá)到上述目的，本發(fā)明采用如下技術(shù)方案：

一種陣列基板的制造方法，包括：

在具有柵極圖案、柵線圖案、柵極墊圖案和柵絕緣層的基板上，形成有源層圖案和柵極墊過孔，其中所述柵極墊過孔是在所述柵極墊圖案對應(yīng)區(qū)域上形成的，所述柵極墊過孔包括柵絕緣層?xùn)艠O墊過孔，其中所述柵絕緣層?xùn)艠O墊過孔是通過對所述柵極墊圖案對應(yīng)區(qū)域上形成的柵絕緣層進(jìn)行刻蝕形成的；

在具有所述有源層圖案和柵極墊過孔的基板上形成源極圖案、漏極圖案、數(shù)據(jù)線圖案和數(shù)據(jù)墊Data?Pad圖案；

在具有所述源極圖案、所述漏極圖案和所述柵極墊過孔的基板上形成鈍化層，在所述漏極圖案對應(yīng)區(qū)域上對所述鈍化層進(jìn)行刻蝕形成鈍化層漏極過孔，并在所述柵極墊圖案對應(yīng)區(qū)域上對所述鈍化層進(jìn)行刻蝕形成鈍化層?xùn)艠O墊過孔，在所述數(shù)據(jù)墊圖案對應(yīng)區(qū)域上對所述鈍化層進(jìn)行刻蝕形成鈍化層數(shù)據(jù)墊過孔；在具有所述鈍化層及所述鈍化層漏極過孔和所述鈍化層?xùn)艠O墊過孔的基板上形成像素電極圖案，并在所述柵極墊圖案對應(yīng)區(qū)域上形成像素電極層?xùn)艠O墊圖案，在所述數(shù)據(jù)墊圖案對應(yīng)區(qū)域上形成像素電極層數(shù)據(jù)墊圖案。

進(jìn)一步的，所述制造方法，還包括：

在形成所述源極圖案和漏極圖案之前，在具有所述有源層圖案的基板上形成刻蝕阻擋層；由于后續(xù)進(jìn)行構(gòu)圖工藝(例如刻蝕源漏電極層)以形成源極和漏極會導(dǎo)致有源層圖案屬性的退化，因此在形成有源層圖案的基板上形成刻蝕阻擋層以防止所述有源層圖案屬性的退化。

則所述形成柵極墊過孔的步驟包括：

對所述柵極墊圖案對應(yīng)區(qū)域上的柵絕緣層進(jìn)行刻蝕形成柵絕緣層?xùn)艠O墊過孔；在具有所述柵絕緣層?xùn)艠O墊過孔的基板上，形成所述刻蝕阻擋層；在具有所述刻蝕阻擋層的基板上，對所述柵極墊圖案對應(yīng)區(qū)域上的刻蝕阻擋層進(jìn)行刻蝕形成刻蝕阻擋層?xùn)艠O墊過孔，所述柵極墊過孔包括所述柵絕緣層?xùn)艠O墊過孔和所述刻蝕阻擋層?xùn)艠O墊過孔；或者