[發明專利]金屬柵極制作方法有效
| 申請號： | 201210328443.4 | 申請日： | 2012-09-06 |
| 公開（公告）號： | CN103681273B | 公開（公告）日： | 2018-04-27 |
| 發明（設計）人： | 周鳴;平延磊 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/28 | 分類號： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙)31237 | 代理人： | 屈蘅,李時云 |
| 地址： | 201203 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 金屬 柵極 制作方法 | ||
1.一種金屬柵極的制作方法，包括：
提供半導體襯底，所述半導體襯底上形成有介質層，所述介質層中形成有柵極介質層以及位于所述柵極介質層上的虛擬柵極結構，所述虛擬柵極結構和柵極介質層側壁形成有間隙壁；
去除部分所述間隙壁，形成一開口，所述開口暴露出部分所述介質層的側壁；
去除虛擬柵極結構，形成溝槽；
去除部分所述間隙壁之后，去除所述虛擬柵極結構之前，或，去除部分所述間隙壁之前，在所述介質層上形成掩膜層；
形成所述掩膜層之后，且去除虛擬柵極結構之前或之后，還去除部分所述介質層，直至剩余的介質層與所述開口底部齊平；
進行物理氣相沉積工藝形成金屬層以填充所述溝槽；以及
進行化學機械研磨工藝去除所述介質層上的金屬層，形成金屬柵極結構。
2.如權利要求1所述的金屬柵極的制作方法，其特征在于：采用濕法刻蝕工藝去除部分所述間隙壁。
3.如權利要求2所述的金屬柵極的制作方法，其特征在于：所述間隙壁的材質為氮化硅。
4.如權利要求3所述的金屬柵極的制作方法，其特征在于：所述濕法刻蝕工藝使用的刻蝕液體是磷酸，溫度為20℃～100℃，時間為5秒～50秒。
5.如權利要求1所述的金屬柵極的制作方法，其特征在于：采用濕法或干法刻蝕工藝去除部分所述間隙壁。
6.如權利要求1所述的金屬柵極的制作方法，其特征在于：去除所述虛擬柵極結構之后，進行物理氣相沉積工藝形成金屬層之前，去除所述掩膜層。
7.如權利要求1所述的金屬柵極的制作方法，其特征在于：采用干法刻蝕工藝去除所述虛擬柵極結構。
8.如權利要求7所述的金屬柵極的制作方法，其特征在于：所述干法刻蝕工藝的反應氣體為氯氣，腔室壓力為30mT～100mT，時間為15秒～45秒。
9.如權利要求1所述的金屬柵極的制作方法，其特征在于：采用濕法刻蝕工藝去除部分所述介質層。
10.如權利要求9所述的金屬柵極的制作方法，其特征在于：所述介質層的材質為二氧化硅。
11.如權利要求10所述的金屬柵極的制作方法，其特征在于：所述濕法刻蝕使用的刻蝕液是稀釋的氫氟酸，時間為5秒～15秒。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于中芯國際集成電路制造（上海）有限公司，未經中芯國際集成電路制造（上海）有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201210328443.4/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：雙重圖形化膜層的方法
- 下一篇：離子注入方法以及離子注入裝置
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
