[發明專利]光電轉換裝置

在審

• 申請號: 201210328042.9
• 申請日: 2012-09-07
• 公開（公告）號: CN103000745A
• 公開（公告）日: 2013-03-27
• 發明（設計）人: 淺見良信;堅石李甫
• 申請（專利權）人: 株式會社半導體能源研究所
• 主分類號: H01L31/105
• 分類號: H01L31/105
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 林毅斌;林森

1.一種光電轉換裝置，包括：

襯底；

所述襯底上的第一電極；

所述第一電極上的透光半導體層；

所述透光半導體層上的第一半導體層；

所述第一半導體層上的第二半導體層；以及

所述第二半導體層上的第二電極，

其中，所述透光半導體層包含有機化合物及無機化合物。

2.根據權利要求1所述的光電轉換裝置，其中所述透光半導體層的導電型為p型，所述第一半導體層的導電型為i型，并且所述第二半導體層的導電型為n型。

3.根據權利要求1所述的光電轉換裝置，其中所述無機化合物選自過渡金屬氧化物。

4.根據權利要求1所述的光電轉換裝置，其中所述無機化合物是屬于元素周期表中的第4族至第8族中任一族的金屬的氧化物。

5.根據權利要求1所述的光電轉換裝置，其中所述無機化合物選自氧化釩、氧化鈮、氧化鉭、氧化鉻、氧化鉬、氧化鎢、氧化錳、氧化錸以及氧化鈦。

6.根據權利要求1所述的光電轉換裝置，其中所述有機化合物選自芳香胺化合物、咔唑衍生物、芳烴、高分子化合物以及包含二苯并呋喃骨架或二苯并噻吩骨架的雜環化合物。

7.一種光電轉換裝置，包括：

襯底；

所述襯底上的第一電極；

所述第一電極上的第一透光半導體層；

所述第一透光半導體層上的第二透光半導體層；

所述第二透光半導體層上的第一半導體層；

所述第一半導體層上的第二半導體層；以及

所述第二半導體層上的第二電極，

其中，所述第一透光半導體層包含有機化合物及無機化合物，

并且，所述第二透光半導體層包含有機化合物。

8.根據權利要求7所述的光電轉換裝置，其中所述第一透光半導體層及所述第二透光半導體層的導電型為p型，所述第一半導體層的導電型為i型，并且所述第二半導體層的導電型為n型。

9.根據權利要求7所述的光電轉換裝置，其中所述無機化合物選自過渡金屬氧化物。

10.根據權利要求7所述的光電轉換裝置，其中所述無機化合物是屬于元素周期表中的第4族至第8族中任一族的金屬的氧化物。

11.根據權利要求7所述的光電轉換裝置，其中所述無機化合物選自氧化釩、氧化鈮、氧化鉭、氧化鉻、氧化鉬、氧化鎢、氧化錳、氧化錸以及氧化鈦。

12.根據權利要求7所述的光電轉換裝置，其中所述有機化合物選自芳香胺化合物、咔唑衍生物、芳烴、高分子化合物以及包含二苯并呋喃骨架或二苯并噻吩骨架的雜環化合物。

13.一種光電轉換裝置，包括：

襯底；

所述襯底上的第一電極；

所述第一電極上的第一半導體層；

所述第一半導體層上的第二半導體層；

所述第二半導體層上的透光半導體層；以及

所述透光半導體層上的第二電極，

其中，所述透光半導體層包含有機化合物及無機化合物。

14.根據權利要求13所述的光電轉換裝置，其中所述透光半導體層的導電型為p型，所述第一半導體層的導電型為i型，并且所述第二半導體層的導電型為n型。

15.根據權利要求13所述的光電轉換裝置，其中所述無機化合物選自過渡金屬氧化物。

16.根據權利要求13所述的光電轉換裝置，其中所述無機化合物是屬于元素周期表中的第4族至第8族中任一族的金屬的氧化物。

17.根據權利要求13所述的光電轉換裝置，其中所述無機化合物選自氧化釩、氧化鈮、氧化鉭、氧化鉻、氧化鉬、氧化鎢、氧化錳、氧化錸以及氧化鈦。

18.根據權利要求13所述的光電轉換裝置，其中所述有機化合物選自芳香胺化合物、咔唑衍生物、芳烴、高分子化合物以及包含二苯并呋喃骨架或二苯并噻吩骨架的雜環化合物。