[發(fā)明專利]光電轉(zhuǎn)換裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210328042.9 | 申請日: | 2012-09-07 |
| 公開(公告)號: | CN103000745A | 公開(公告)日: | 2013-03-27 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 淺見良信;堅(jiān)石李甫 | 申請(專利權(quán))人: | 株式會(huì)社半導(dǎo)體能源研究所 |
| 主分類號: | H01L31/105 | 分類號: | H01L31/105 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 林毅斌;林森 |
| 地址: | 日本神奈*** | 國省代碼: | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 光電 轉(zhuǎn)換 裝置 | ||
1.一種光電轉(zhuǎn)換裝置,包括:
襯底;
所述襯底上的第一電極;
所述第一電極上的透光半導(dǎo)體層;
所述透光半導(dǎo)體層上的第一半導(dǎo)體層;
所述第一半導(dǎo)體層上的第二半導(dǎo)體層;以及
所述第二半導(dǎo)體層上的第二電極,
其中,所述透光半導(dǎo)體層包含有機(jī)化合物及無機(jī)化合物。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電轉(zhuǎn)換裝置,其中所述透光半導(dǎo)體層的導(dǎo)電型為p型,所述第一半導(dǎo)體層的導(dǎo)電型為i型,并且所述第二半導(dǎo)體層的導(dǎo)電型為n型。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電轉(zhuǎn)換裝置,其中所述無機(jī)化合物選自過渡金屬氧化物。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電轉(zhuǎn)換裝置,其中所述無機(jī)化合物是屬于元素周期表中的第4族至第8族中任一族的金屬的氧化物。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電轉(zhuǎn)換裝置,其中所述無機(jī)化合物選自氧化釩、氧化鈮、氧化鉭、氧化鉻、氧化鉬、氧化鎢、氧化錳、氧化錸以及氧化鈦。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電轉(zhuǎn)換裝置,其中所述有機(jī)化合物選自芳香胺化合物、咔唑衍生物、芳烴、高分子化合物以及包含二苯并呋喃骨架或二苯并噻吩骨架的雜環(huán)化合物。
7.一種光電轉(zhuǎn)換裝置,包括:
襯底;
所述襯底上的第一電極;
所述第一電極上的第一透光半導(dǎo)體層;
所述第一透光半導(dǎo)體層上的第二透光半導(dǎo)體層;
所述第二透光半導(dǎo)體層上的第一半導(dǎo)體層;
所述第一半導(dǎo)體層上的第二半導(dǎo)體層;以及
所述第二半導(dǎo)體層上的第二電極,
其中,所述第一透光半導(dǎo)體層包含有機(jī)化合物及無機(jī)化合物,
并且,所述第二透光半導(dǎo)體層包含有機(jī)化合物。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的光電轉(zhuǎn)換裝置,其中所述第一透光半導(dǎo)體層及所述第二透光半導(dǎo)體層的導(dǎo)電型為p型,所述第一半導(dǎo)體層的導(dǎo)電型為i型,并且所述第二半導(dǎo)體層的導(dǎo)電型為n型。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的光電轉(zhuǎn)換裝置,其中所述無機(jī)化合物選自過渡金屬氧化物。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的光電轉(zhuǎn)換裝置,其中所述無機(jī)化合物是屬于元素周期表中的第4族至第8族中任一族的金屬的氧化物。
11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的光電轉(zhuǎn)換裝置,其中所述無機(jī)化合物選自氧化釩、氧化鈮、氧化鉭、氧化鉻、氧化鉬、氧化鎢、氧化錳、氧化錸以及氧化鈦。
12.根據(jù)權(quán)利要求7所述的光電轉(zhuǎn)換裝置,其中所述有機(jī)化合物選自芳香胺化合物、咔唑衍生物、芳烴、高分子化合物以及包含二苯并呋喃骨架或二苯并噻吩骨架的雜環(huán)化合物。
13.一種光電轉(zhuǎn)換裝置,包括:
襯底;
所述襯底上的第一電極;
所述第一電極上的第一半導(dǎo)體層;
所述第一半導(dǎo)體層上的第二半導(dǎo)體層;
所述第二半導(dǎo)體層上的透光半導(dǎo)體層;以及
所述透光半導(dǎo)體層上的第二電極,
其中,所述透光半導(dǎo)體層包含有機(jī)化合物及無機(jī)化合物。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的光電轉(zhuǎn)換裝置,其中所述透光半導(dǎo)體層的導(dǎo)電型為p型,所述第一半導(dǎo)體層的導(dǎo)電型為i型,并且所述第二半導(dǎo)體層的導(dǎo)電型為n型。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的光電轉(zhuǎn)換裝置,其中所述無機(jī)化合物選自過渡金屬氧化物。
16.根據(jù)權(quán)利要求13所述的光電轉(zhuǎn)換裝置,其中所述無機(jī)化合物是屬于元素周期表中的第4族至第8族中任一族的金屬的氧化物。
17.根據(jù)權(quán)利要求13所述的光電轉(zhuǎn)換裝置,其中所述無機(jī)化合物選自氧化釩、氧化鈮、氧化鉭、氧化鉻、氧化鉬、氧化鎢、氧化錳、氧化錸以及氧化鈦。
18.根據(jù)權(quán)利要求13所述的光電轉(zhuǎn)換裝置,其中所述有機(jī)化合物選自芳香胺化合物、咔唑衍生物、芳烴、高分子化合物以及包含二苯并呋喃骨架或二苯并噻吩骨架的雜環(huán)化合物。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于株式會(huì)社半導(dǎo)體能源研究所,未經(jīng)株式會(huì)社半導(dǎo)體能源研究所許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201210328042.9/1.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個(gè)或多個(gè)電光源,如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
- 圖像轉(zhuǎn)換設(shè)備、圖像轉(zhuǎn)換電路及圖像轉(zhuǎn)換方法
- 數(shù)模轉(zhuǎn)換電路及轉(zhuǎn)換方法
- 轉(zhuǎn)換設(shè)備和轉(zhuǎn)換方法
- 占空比轉(zhuǎn)換電路及轉(zhuǎn)換方法
- 通信轉(zhuǎn)換方法、轉(zhuǎn)換裝置及轉(zhuǎn)換系統(tǒng)
- 模數(shù)轉(zhuǎn)換和模數(shù)轉(zhuǎn)換方法
- 轉(zhuǎn)換模塊以及轉(zhuǎn)換電路
- 熱電轉(zhuǎn)換材料、熱電轉(zhuǎn)換元件和熱電轉(zhuǎn)換模塊
- 熱電轉(zhuǎn)換材料、熱電轉(zhuǎn)換元件及熱電轉(zhuǎn)換模塊
- 熱電轉(zhuǎn)換材料、熱電轉(zhuǎn)換元件及熱電轉(zhuǎn)換模塊





