[發明專利]滑動部件及其表面加工方法有效
| 申請號: | 201210327926.2 | 申請日: | 2011-01-20 |
| 公開(公告)號: | CN102925901A | 公開(公告)日: | 2013-02-13 |
| 發明(設計)人: | 佐藤明伸;鈴木晃子;河野健司 | 申請(專利權)人: | 日本航空電子工業株式會社 |
| 主分類號: | C23F4/00 | 分類號: | C23F4/00;B32B3/30 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人: | 宋莉 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 滑動 部件 及其 表面 加工 方法 | ||
1.使用氣體簇離子束加工滑動部件的表面的方法,包括從與所述滑動部件的滑動方向平行的方向將所述氣體簇離子束輻射到滑動部件的表面的步驟,以形成滑動部件表面上的表面結構,所述表面結構為如下結構,其中:1)具有周期10nm~100nm、深度5nm~50nm的第一周期結構,周期100nm~1000nm、深度20nm~500nm的第二周期結構,和周期1000nm~10000nm、深度100nm~3000nm的第三周期結構中的至少兩種周期結構,和2)所述至少兩種周期結構中的一種形成在另一周期結構上。
2.使用氣體簇離子束加工滑動部件的表面的方法,包括從與所述滑動部件的滑動方向平行的方向將氣體簇離子束輻射到滑動部件的表面和從與上述方向相反的方向將另一氣體簇離子束輻射到滑動部件的表面的步驟,以形成滑動部件表面上的表面結構,所述表面結構為如下結構,其中:1)具有周期10nm~100nm、深度5nm~50nm的第一周期結構,周期100nm~1000nm、深度20nm~500nm的第二周期結構,和周期1000nm~10000nm、深度100nm~3000nm的第三周期結構中的至少兩種周期結構,和2)所述至少兩種周期結構中的一種形成在另一周期結構上。
3.使用氣體簇離子束加工滑動部件的表面的方法,包括從由輻射的所述氣體簇離子束與所述滑動部件的表面的法線所形成的在30度~75度范圍內的角度將氣體簇離子束輻射到滑動部件的表面的步驟,以形成滑動部件表面上的表面結構,所述表面結構為如下結構,其中:1)具有周期10nm~100nm、深度5nm~50nm的第一周期結構,周期100nm~1000nm、深度20nm~500nm的第二周期結構,和周期1000nm~10000nm、深度100nm~3000nm的第三周期結構中的至少兩種周期結構,和2)所述至少兩種周期結構中的一種形成在另一周期結構上。
4.使用氣體簇離子束加工滑動部件的表面的方法,包括從由輻射的氣體簇離子束與所述滑動部件的表面的法線所形成的在30度~75度范圍內的角度將氣體簇離子束輻射到滑動部件的表面和從與上述氣體簇離子束的輻射方向相反的方向將另一氣體簇離子束輻射到滑動部件的表面的步驟,以形成滑動部件表面上的表面結構,所述表面結構為如下結構,其中:1)具有周期10nm~100nm、深度5nm~50nm的第一周期結構,周期100nm~1000nm、深度20nm~500nm的第二周期結構,和周期1000nm~10000nm、深度100nm~3000nm的第三周期結構中的至少兩種周期結構,和2)所述至少兩種周期結構中的一種形成在另一周期結構上。
5.根據權利要求1-4中任一的方法,其中所述第二周期結構和所述第三周期結構中的至少一種為波紋結構。
6.根據權利要求5的方法,其中所述第二周期結構和所述第三周期結構中的至少一種的波紋結構形成在與所述滑動部件的滑動方向垂直的方向上。
7.根據權利要求1-4中任一的方法,其中所述表面結構至少形成在所述滑動部件的邊緣上。
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