[發明專利]太陽能電池用鍺錫共摻單晶硅及其制備方法有效
| 申請號： | 201210327712.5 | 申請日： | 2012-09-06 |
| 公開（公告）號： | CN102828243A | 公開（公告）日： | 2012-12-19 |
| 發明（設計）人： | 張群社;祁偉 | 申請（專利權）人： | 西安隆基硅材料股份有限公司;無錫隆基硅材料有限公司;寧夏隆基硅材料有限公司;銀川隆基硅材料有限公司 |
| 主分類號： | C30B29/06 | 分類號： | C30B29/06;H01L31/0288 |
| 代理公司： | 西安弘理專利事務所 61214 | 代理人： | 羅笛 |
| 地址： | 710100 陜西*** | 國省代碼： | 陜西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 太陽能電池 用鍺錫共摻 單晶硅 及其 制備 方法 | ||
1.一種太陽能電池用鍺錫共摻單晶硅，其特征在于：單晶硅中摻雜有三種雜質，該三種雜質在單晶硅中最終的原子體積濃度分別為：電活性雜質為1013～1021atoms/cm3，鍺為1016～1019atoms/cm3，錫為1013～1016atoms/cm3。
2.根據權利要求1所述的太陽能電池用鍺錫共摻單晶硅，其特征在于：所述的電活性雜質選用磷、硼、砷、銻或鎵。
3.根據權利要求1或2所述的太陽能電池用鍺錫共摻單晶硅，其特征在于：所述的鍺、錫，均選用5N純度以上的高純單質，或是高純含鍺、錫元素的化合物。
4.一種太陽能電池用鍺錫共摻單晶硅的制備方法，其特征在于，按照以下步驟實施：
在太陽能級多晶硅原料中同時摻入質量濃度為10ppbw~1%的電活性雜質、10ppmw~0.5%的鍺、10ppbw~10ppmw的錫，通過常規CZ法制得單晶硅，單晶硅中的上述三種雜質的最終原子體積濃度分別為：電性雜質為1013～1021atoms/cm3，鍺為1016～1019atoms/cm3，錫為1013～1016atoms/cm3，即成。
5.根據權利要求4所述的太陽能電池用鍺錫共摻單晶硅制備方法，其特征在于：所述的電活性雜質選用磷、硼、砷、銻或鎵。
6.根據權利要求4或5所述的太陽能電池用鍺錫共摻單晶硅制備方法，其特征在于：所述的鍺、錫，均選用5N純度以上的高純單質，或是高純含鍺、錫元素的化合物。
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