[發明專利]氮化硅膜沉積設備和沉積方法

有效

• 申請號: 201210327690.2
• 申請日: 2012-09-06
• 公開（公告）號: CN102817011A
• 公開（公告）日: 2012-12-12
• 發明（設計）人: 解占壹;劉海金;劉偉
• 申請（專利權）人: 英利能源（中國）有限公司
• 主分類號: C23C16/44
• 分類號: C23C16/44;C23C16/34;H01L31/18
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240
• 代理人: 吳貴明;余剛

1.一種氮化硅膜沉積設備，其特征在于，包括兩個或兩個以上的反應腔，以及連接在所述反應腔之間的緩沖腔，所述反應腔與所述緩沖腔之間形成真空連接。

2.根據權利要求1所述的沉積設備，其特征在于，所述反應腔通過管道與真空泵相連接。

3.根據權利要求2所述的沉積設備，其特征在于，所述反應腔內設置有壓力計。

4.根據權利要求2所述的沉積設備，其特征在于，所述反應腔與所述緩沖腔之間安裝有連接法蘭，所述連接法蘭上設置有密封圈。

5.根據權利要求1所述的沉積設備，其特征在于，還包括用于在所述反應腔和所述緩沖腔內傳輸硅片基體的載體，所述載體為石墨舟，所述石墨舟設有滾輪，并通過傳動軸與電機驅動連接。

6.根據權利要求1至5中任一項所述的沉積設備，其特征在于，所述沉積設備的上游端設置有加熱腔，所述沉積設備的下游端設置有冷卻腔。

7.一種氮化硅膜沉積方法，其特征在于，包括以下步驟：將硅片基體送入如權利要求1至6中任一項所述的氮化硅膜沉積設備，使得所述硅片基體連續通過所述反應腔以及所述反應腔之間的所述緩沖腔，在所述硅片基體上沉積多層氮化硅膜。

8.根據權利要求7所述的沉積方法，其特征在于，在所述反應腔內采用PECVD法沉積生成氮化硅膜。

9.根據權利要求7所述的沉積方法，其特征在于，所述反應腔包括第一反應腔和第二反應腔，在所述第一反應腔內氨氣和硅烷的體積比為1∶1～1.5∶1。

10.根據權利要求9所述的沉積方法，其特征在于，在所述第一反應腔內氣體總量為800～1000sccm，微波功率為3500～4500W，溫度為350～400℃，壓強為0.28～0.3mbar，硅片傳輸速度為175～185cm/min。

11.根據權利要求9所述的沉積方法，其特征在于，在所述第二反應腔內氨氣和硅烷的體積比為3∶1～3.5∶1，氣體總量為2000～2500sccm，微波功率為4200～5200W，溫度為350～400℃，壓強為0.28～0.3mbar，硅片傳輸速度為175～185cm/min。