[發(fā)明專利]發(fā)光二極管反射電極的鈍化方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210326876.6 | 申請日： | 2012-09-06 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN102856459A | 公開（公告）日： | 2013-01-02 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 林素慧;洪靈愿;彭康偉;其他發(fā)明人請求不公開姓名 | 申請（專利權(quán)）人： | 安徽三安光電有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L33/36 | 分類號(hào)： | H01L33/36;H01L33/40 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 241000 安徽*** | 國省代碼： | 安徽;34 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 發(fā)光二極管 反射 電極 鈍化 方法 | ||
1.發(fā)光二極管反射電極的鈍化方法，其包括步驟：
在一基板上形成發(fā)光外延層，其至下而上包括第一半導(dǎo)體層、發(fā)光層和第二半導(dǎo)體層；
在所述發(fā)光外延層上形成反射金屬電極結(jié)構(gòu)，包括金屬反射層、金屬隔離層和金屬電極層；
采用化學(xué)溶液對所述金屬反射層的四周側(cè)壁進(jìn)行金屬鈍化，完成金屬電極結(jié)構(gòu)的鈍化保護(hù)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管反射電極的鈍化方法，其特征在于：所述化學(xué)溶液為濃硫酸、濃鹽酸中的至少一種溶液。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管反射電極的鈍化方法，其特征在于：還可以在形成發(fā)光外延層后，在所述發(fā)光外延層上形成透明導(dǎo)電層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管反射電極的鈍化方法，其特征在于：還可以在形成發(fā)光外延層后，在所述發(fā)光外延層上形成電流阻擋層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管反射電極的鈍化方法，其特征在于：所述金屬反射層為Al、Ag、中的至少一種金屬，其厚度為5~100nm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管反射電極的鈍化方法，其特征在于：所述金屬隔離層為Cr、Pt、W中的至少一種金屬，其厚度為5~200nm。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管反射電極的鈍化方法，其特征在于：所述金屬電極層為Au，其厚度為50~3000nm。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管反射電極的鈍化方法，其特征在于：所述金屬隔離層為多層結(jié)構(gòu)。
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