[發明專利]含有上轉換發光量子點的晶體硅及其制備方法

有效

• 申請號: 201210326645.5
• 申請日: 2012-09-06
• 公開（公告）號: CN102832267A
• 公開（公告）日: 2012-12-19
• 發明（設計）人: 張群社;祁偉
• 申請（專利權）人: 西安隆基硅材料股份有限公司;無錫隆基硅材料有限公司;寧夏隆基硅材料有限公司;銀川隆基硅材料有限公司
• 主分類號: H01L31/0256
• 分類號: H01L31/0256;H01L31/18
• 代理公司: 西安弘理專利事務所 61214
• 代理人: 羅笛

1.一種含有上轉換發光量子點的晶體硅，其特征在于：

晶體硅中的稀土元素的濃度為10¹⁰~10¹⁶atoms/cm³。

2.根據權利要求1所述的含有上轉換發光量子點的晶體硅，其特征在于：所述的稀土元素選用鉺、钷、釓、鈥、銩或釤。

3.根據權利要求1所述的含有上轉換發光量子點的晶體硅，其特征在于：所述的稀土元素選用鉺、钷、釓、鈥、銩或釤其中之一的氧化物。

4.一種制備權利要求1所述的含有上轉換發光量子點的晶體硅的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟1.在太陽能級多晶硅原料中摻入稀土元素8ppbw~120ppmw，利用常規CZ法制得單晶硅，或利用常規鑄錠法制得多晶硅，所述單晶硅或多晶硅中的稀土元素的原子數量濃度為10¹⁰~10¹⁶atoms/cm³；

步驟2.將步驟1制得的單晶硅或多晶硅，在700℃~1000℃進行退火處理，得到含有上轉換發光量子點的單晶硅或多晶硅，即成。

5.根據權利要求4所述的含有上轉換發光量子點的晶體硅的制備方法，其特征在于：所述的稀土元素選用鉺、钷、釓、鈥、銩或釤。

6.根據權利要求4所述的含有上轉換發光量子點的晶體硅的制備方法，其特征在于：所述的稀土元素選用鉺、钷、釓、鈥、銩或釤其中之一的氧化物。