[發明專利]超級結器件及其制造方法

有效

• 申請號: 201210326114.6
• 申請日: 2012-09-05
• 公開（公告）號: CN103035721A
• 公開（公告）日: 2013-04-10
• 發明（設計）人: 肖勝安
• 申請（專利權）人: 上海華虹NEC電子有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 丁紀鐵

1.一種超級結器件，包括單元區域和終端結構，所述單元區域位于超級結器件的中間區域，所述終端結構圍繞在所述單元區域的外周，其特征在于：所述單元區域中包括由側面依次接觸的氧化膜薄層、第一導電類型薄層、第二導電類型薄層和第一導電類型薄層組成的薄層單元重復排列而成的結構，所述薄層單元排列的方向為和硅襯底表面平行的橫向；所述終端結構中至少包括一個所述薄層單元；

所述薄層單元形成于第二導電類型外延層中，在所述第二導電類型外延層中形成有第一溝槽；所述氧化膜薄層由填充于所述第一溝槽的氧化層組成，兩個相鄰的所述第一溝槽之間形成有兩個所述第一導電類型薄層和一個所述第二導電類型薄層；

所述氧化膜薄層的氧化層包括填充于所述第一溝槽表面的第一氧化層以及由形成于所述第一氧化層上的第一導電類型的第二多晶硅或非晶硅氧化形成的第二氧化層；

所述第一導電類型薄層的第一導電類型雜質由所述第二多晶硅或非晶硅的第一導電類型雜質穿過所述第一氧化層擴散到所述第二導電類型外延層中得到；

所述第二導電類型薄層直接由位于兩個相鄰的所述第一溝槽之間且為兩個所述第一導電類型薄層之間的所述第二導電類型外延層組成；

在所述第二導電類型外延層中形成有第二溝槽，所述第二溝槽位于所述單元區域的各所述氧化膜薄層的正上方，所述第二溝槽的寬度大于等于所述氧化膜薄層的寬度，所述第二溝槽將和其相鄰的所述第一導電類型薄層的頂部的側面露出，在所述第二溝槽中依次形成有柵極氧化層以及柵極多晶硅，所述柵極氧化層和所述第一導電類型薄層的頂部側面接觸，所述柵極多晶硅將所述第二溝槽完全填充。

2.如權利要求1所述的超級結器件，其特征在于，所述超級結器件還包括：

第一導電類型外延層，所述第一導電類型外延層形成于所述硅襯底表面，所述硅襯底具有第一導電類型重摻雜；所述第二導電類型外延層形成于所述第一導電類型外延層表面上；所述第一溝槽的底部位于所述第二導電類型外延層中、或者穿透所述第二導電類型外延層進入到所述第一導電類型外延層中；

第二導電類型阱區，形成于所述第二導電類型外延層的頂部區域，所述第二導電類型阱區的深度小于等于所述第二溝槽的深度，所述柵極多晶硅從側面對所述第二導電類型阱區覆蓋；

源區，由形成于所述第二導電類型阱區的頂部的第一導電類型的重摻雜區組成；被所述柵極多晶硅覆蓋的所述第二導電類型阱區用于形成溝道，該溝道實現所對應的所述源區和所述第一導電類型薄層的電學連接；

第二導電類型接觸區，由形成于所述第二導電類型阱區中第二導電類型的重摻雜區，用于將所述第二導電類型阱區引出。

3.如權利要求1所述的超級結器件，其特征在于：位于所述終端結構的薄層單元的所述第一導電類型薄層和所述第二導電類型薄層的寬度比大于位于所述單元區域的薄層單元的所述第一導電類型薄層和所述第二導電類型薄層的寬度比。

4.如權利要求1或2或3所述的超級結器件，其特征在于：所述超級結器件為N型超級結器件，第一導電類型為N型，第二導電類型為P型；或者，所述超級結器件為P型超級結器件，第一導電類型為P型，第二導電類型為N型。