[發(fā)明專利]一種玻璃通孔的制作及互連的方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210325657.6 | 申請日: | 2012-09-05 |
| 公開(公告)號: | CN102820262A | 公開(公告)日: | 2012-12-12 |
| 發(fā)明(設計)人: | 于大全;姜峰 | 申請(專利權)人: | 江蘇物聯網研究發(fā)展中心 |
| 主分類號: | H01L21/768 | 分類號: | H01L21/768 |
| 代理公司: | 無錫市大為專利商標事務所 32104 | 代理人: | 曹祖良 |
| 地址: | 214135 江蘇省無錫市新*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 玻璃 制作 互連 方法 | ||
1.一種玻璃通孔的制作方法,其特征是,包括以下步驟:
1)通過熱壓方法將多個玻璃基片疊層鍵合在一起,形成多層玻璃基片的疊層鍵合結構;
2)將鍵合后的疊層玻璃基片制作出垂直于疊層玻璃基片表面的通孔結構;
3)對疊層玻璃基片拆鍵合,達到玻璃基片分離。
2.如權利要求1所述玻璃通孔的制作方法,其特征是,所述玻璃基片疊層鍵合是通過聚合物材料鍵合方法實現的,其中聚合物材料是Polyimide、SU8和BCB中的一種,形成多層玻璃基片和Polyimide、SU8或者BCB的疊層結構。
3.如權利要求1所述玻璃通孔的制作方法,其特征是,在步驟2之前,還包括在疊層玻璃板基片一側的表面制作通孔所需圖形的工序。
4.如權利要求1所述玻璃通孔的制作方法,其特征是,所述通孔采用機械加工、激光加工、噴砂鉆孔或者刻蝕中的一種方法進行制作。
5.如權利要求1所述玻璃通孔的制作方法,其特征是,所述通孔的孔徑范圍為5um-500um。
6.如權利要求1所述玻璃通孔的制作方法,其特征是,步驟3采用化學溶液溶解聚合物達到玻璃基片分離目的;或者使用電火花、線切割、刀片切割等方式對疊層玻璃基片進行拆分。
7.如權利要求1所述玻璃通孔的制作方法,其特征是,步驟3之后,對每片單獨的玻璃基片進行清洗,以便于后續(xù)制作互連的工藝。
8.一種玻璃通孔互連的制作方法,其特征是,包括以下步驟:
1)通過熱壓方法將多個玻璃基片疊層鍵合在一起,形成多層玻璃基片的疊層鍵合結構;
2)將鍵合后的疊層玻璃基片制作出垂直于疊層玻璃基片表面的通孔結構;
3)在所述通孔的側壁上采用物理沉積或者化學沉積方法制作粘附層;
4)將疊層玻璃基片的通孔進行金屬化填充;
5)對疊層玻璃基片拆鍵合,達到玻璃基片分離。
9.如權利要求8所述玻璃通孔互連的制作方法,其特征是,在步驟3之前,對具有通孔結構的疊層玻璃基片進行清洗。
10.如權利要求8所述玻璃通孔互連的制作方法,其特征是,所述粘附層材料為Ni、Ta、Ti、Pt、Pd、AlN和TiN中的至少一種。
11.如權利要求8所述玻璃通孔互連的制作方法,其特征是,所述疊層玻璃基片通孔金屬化填充通過電鍍、化學鍍、物理沉積或者液態(tài)金屬填充的方式實現。
12.如權利要求8所述玻璃通孔互連的制作方法,其特征是,所述金屬化填充采用Cu、Sn、W、Ti、Pt、Pd、Ni和Au中的一種作為填充材料。
13.如權利要求8所述玻璃通孔互連的制作方法,其特征是,在步驟5之前,采用化學機械拋光去除金屬化填充后疊層玻璃基片上表面的金屬。
14.如權利要求8所述玻璃通孔互連的制作方法,其特征是,在步驟5之后,對每片單獨的玻璃基片采用清洗和表面平整化拋光的方法進行減薄至所需厚度。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





