[發(fā)明專利]一種多溝槽結(jié)構(gòu)的制作方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210325243.3
• 申請(qǐng)日: 2012-09-05
• 公開（公告）號(hào): CN103681233A
• 公開（公告）日: 2014-03-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張新偉;代丹;周國(guó)平;夏長(zhǎng)奉
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 無(wú)錫華潤(rùn)上華半導(dǎo)體有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/02
• 分類號(hào): H01L21/02
• 代理公司: 暫無(wú)信息
• 代理人: 暫無(wú)信息

1.種多溝槽結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，包括如下步驟：

步驟一、在半導(dǎo)體襯底上各向異性刻蝕，以形成縱向溝槽；

步驟二、在形成所述縱向溝槽的半導(dǎo)體襯底上生長(zhǎng)第一外延層，使所述第一外延層覆蓋所述縱向溝槽頂部，形成封閉結(jié)構(gòu)；

步驟三、在所述封閉結(jié)構(gòu)上進(jìn)行各向異性和各向同性刻蝕，以形成溝槽陣列，并使所述溝槽陣列與所述縱向溝槽連通；所述溝槽陣列包括多個(gè)溝槽或通孔，所述多個(gè)溝槽或通孔的上部各自分離，下部相互連通形成腔體；

步驟四、生長(zhǎng)第二外延層覆蓋所述溝槽陣列，以形成封閉的多溝槽結(jié)構(gòu)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多溝槽結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于：所述半導(dǎo)體襯底為硅襯底。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多溝槽結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于：所述第一外延層的生長(zhǎng)厚度為4~10μm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多溝槽結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于：所述第一、第二外延層生長(zhǎng)采用低壓化學(xué)氣相淀積。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多溝槽結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于：所述第一、第二外延層生長(zhǎng)的溫度設(shè)置在1100℃至1150℃。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多溝槽結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于：所述第一、第二外延層生長(zhǎng)的生長(zhǎng)氣體為SiH₂Cl₂、SiHCl₃或者SiCl₄。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多溝槽結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于：步驟三中，在所述封閉結(jié)構(gòu)上先進(jìn)行各向異性刻蝕形成多個(gè)通孔或溝槽；再對(duì)所述多個(gè)通孔或溝槽進(jìn)行各向同性刻蝕以使相鄰?fù)谆蛳噜彍喜鄣南虏肯嗷ミB通形成腔體。

8.根據(jù)權(quán)利要求1或7所述的多溝槽結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于：所述多個(gè)通孔或溝槽基本等間距地排列。

9.根據(jù)權(quán)利要求1或7所述的多溝槽結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于：所述各向異性刻蝕和各向同性刻蝕均采用反應(yīng)離子刻蝕。