[發(fā)明專利]發(fā)光二極管及其制造方法

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210323318.4
• 申請(qǐng)日: 2012-09-04
• 公開（公告）號(hào): CN103474542A
• 公開（公告）日: 2013-12-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 孫謝陽
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 華新麗華股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L33/40
• 分類號(hào): H01L33/40;H01L33/00
• 代理公司: 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100
• 代理人: 陸勍

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明是有關(guān)于一種發(fā)光二極管及其制造方法，且特別是有關(guān)于一種具有高鋁含量的電極的發(fā)光二極管及其制造方法。

背景技術(shù)

隨著科技的發(fā)展，各式照明技術(shù)不斷創(chuàng)新。發(fā)光二極管為照明技術(shù)發(fā)展上的一項(xiàng)重要里程碑。發(fā)光二極管具有效率高、壽命長(zhǎng)、不易破損等優(yōu)點(diǎn)，使得發(fā)光二極管廣泛地應(yīng)用于各式電子裝置與燈具中。

傳統(tǒng)發(fā)光二極管包括P型半導(dǎo)體層、N型半導(dǎo)體層及二電極，二電極分別形成于P型半導(dǎo)體層及N型半導(dǎo)體層上。一般而言，為了避免電極的鋁材料受到后續(xù)工藝的化學(xué)液侵蝕，電極的鋁材料的用量少于10％。然而，為了導(dǎo)電性考量，金的用量卻因此而提高，導(dǎo)致傳統(tǒng)發(fā)光二極管的成本無法有效降低。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明是有關(guān)于一種發(fā)光二極管及其制造方法，可減少或避免發(fā)光二極管的電極發(fā)生腐蝕。

本發(fā)明的一實(shí)施例提供一種發(fā)光二極管，包括一半導(dǎo)體復(fù)合層及一電極。半導(dǎo)體復(fù)合層用以提供空穴和電子并使空穴和電子結(jié)合而釋放光。電極形成于半導(dǎo)體復(fù)合層上，其中電極含有30％至98％的鋁含量。

本發(fā)明的另一實(shí)施例提供一種發(fā)光二極管的制造方法，包括以下步驟：形成一半導(dǎo)體復(fù)合層于一基板上；形成一電極于半導(dǎo)體復(fù)合層上；以及，形成一包覆層包覆電極，其中包覆層是由一賤金屬所組成。

為了對(duì)本發(fā)明的上述及其他方面有更佳的了解，下文特舉實(shí)施例，并配合附圖，作詳細(xì)說明如下。

附圖說明

圖1繪示依照本發(fā)明一實(shí)施例的發(fā)光二極管的剖視圖。

圖2繪示依照本發(fā)明另一實(shí)施例的發(fā)光二極管的剖視圖。

圖3A至3C繪示依照本發(fā)明一實(shí)施例的發(fā)光二極管的制造流程圖。

主要元件符號(hào)說明：

100、200：發(fā)光二極管

110：基板

120：半導(dǎo)體復(fù)合層

121：第一半導(dǎo)體層

122：發(fā)光層

123：第二半導(dǎo)體層

130、230：第一電極

130s：側(cè)面

130u：上表面

131：第一層結(jié)構(gòu)

132：第二層結(jié)構(gòu)

140、240：第二電極

150：包覆層

160：接墊層

233：第三層結(jié)構(gòu)

具體實(shí)施方式

請(qǐng)參照?qǐng)D1，其繪示依照本發(fā)明一實(shí)施例的發(fā)光二極管100的剖視圖。發(fā)光二極管100包括基板110、半導(dǎo)體復(fù)合層120、第一電極130、第二電極140、包覆層150及接墊層160。

基板110例如是硅基板、氮化鎵基板、碳化硅基板、藍(lán)寶石基板或以上述基板再進(jìn)行圖形化等加工的基板，但并不以此為限。

半導(dǎo)體復(fù)合層120位于基板110上，用以提供空穴和電子并使空穴和電子結(jié)合而釋放光。詳細(xì)而言，半導(dǎo)體復(fù)合層120是由多層半導(dǎo)體層上下堆迭而成的，其包括第一半導(dǎo)體層121，位于基板110上；發(fā)光層122，位于第一半導(dǎo)體層121上且露出部分的第一半導(dǎo)體層121；以及第二半導(dǎo)體層123，位于發(fā)光層122上。其中第一半導(dǎo)體層121與第二半導(dǎo)體層123實(shí)質(zhì)上平行，而發(fā)光層122是夾設(shè)于第一半導(dǎo)體層121與第二半導(dǎo)體層123之間。第一半導(dǎo)體層121、發(fā)光層122及第二半導(dǎo)體層123可各自為單層或多層結(jié)構(gòu)，端視實(shí)際需求而定。

半導(dǎo)體復(fù)合層120可透過一般半導(dǎo)體工藝(例如金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積(Metal-organic?Chemical?Vapor?Deposition，MOCVD)外延工藝、薄膜沉積、微影、蝕刻、摻雜)來形成。第一半導(dǎo)體層121例如是P型半導(dǎo)體層與N型半導(dǎo)體層的其中一者，而第二半導(dǎo)體層123則為P型半導(dǎo)體層與N型半導(dǎo)體層的另一者。其中，P型半導(dǎo)體層例如是摻雜鎂(Mg)、硼(B)、銦(In)、鎵(Ga)或鋁(Al)等元素的氮基半導(dǎo)體層，而N型半導(dǎo)體層例如是摻雜硅(Si)、磷(P)、銻(Sb)、砷(As)等元素的氮基半導(dǎo)體層。發(fā)光層122可以是三五族二元素化合物半導(dǎo)體(例如是砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)、磷化鎵(GaP)、氮化鎵(GaN))、三五族多元素化合物半導(dǎo)體(例如是砷化鋁鎵(AlGaAs)、磷砷化鎵(GaAsP)、磷化鋁鎵銦(AlGaInP)、砷化鋁銦鎵(AlInGaAs))或二六族二元素化合物半導(dǎo)體(例如是硒化鎘(CdSe)、硫化鎘(CdS)、硒化鋅(ZnSe))。