[發明專利]一種大功率LED的封裝工藝有效
| 申請號: | 201210322977.6 | 申請日: | 2012-09-04 |
| 公開(公告)號: | CN102832323A | 公開(公告)日: | 2012-12-19 |
| 發明(設計)人: | 劉淑娟;何雷;張佃環 | 申請(專利權)人: | 江蘇尚明光電有限公司 |
| 主分類號: | H01L33/48 | 分類號: | H01L33/48;H01L33/64 |
| 代理公司: | 南京眾聯專利代理有限公司 32206 | 代理人: | 劉喜蓮 |
| 地址: | 222000 江蘇省連云港市連云*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 大功率 led 封裝 工藝 | ||
技術領域
本發明涉及一種封裝工藝,特別是一種大功率LED的封裝工藝。
背景技術
大功率LED生產過程中,在大功率LED的半導體芯片做好后,為了使半導體芯片免受機械應力、熱應力、有害氣體以及放射線等外部環境的影響,需要對半導體芯片進行封裝和保護處理。封裝后一方面可以保證半導體器件最大限度的發揮它的電學特性而正常工作,提高其使用壽命,另一方面通過封裝也將會使應用更加方便。
隨著大功率LED的進一步推廣運用,用戶對大功率LED的可靠性要求越來越高,不適當的封裝方法會降低LED生產的成品率,縮短大功率LED的使用壽命,提高企業的生產成本,因此,研發更為完善先進的LED封裝技術具有重要的現實意義。
發明內容
本發明所要解決的技術問題是針對現有技術的不足,提供一種工藝更為合理、可操作性強的一種大功率LED的封裝工藝。
本發明所要解決的技術問題是通過以下的技術方案來實現的。本發明是一種大功率LED的封裝工藝,其特點是,其步驟如下:選用表面列機械損傷、尺寸和電極大小符合工藝要求的大功率LED的芯片,采用擴片機對粘結芯片的膜進行擴張,將芯片之間的間距拉伸到0.5-0.7mm;然后在LED支架的對應位置上點上銀膠層或者絕緣膠層來固定芯片;將芯片置于刺片裝置的夾具上,將LED支架置于夾具的下方,在顯微鏡下用針將LED芯片一個一個刺到LED支架相應的位置上;燒結,使銀膠固化;采用金絲球焊將電極壓焊到LED芯片上,連接LED的內外引線;然后將壓焊好的LED支架放入模具中,將模具合模并抽真空,環氧樹脂加熱后進入各個LED成型槽中并固化成型,即得。
本發明所述的大功率LED的封裝工藝技術方案中:所述的LED的芯片的最佳基板材料為硅片,且硅片的厚度優選190-210μm。芯片面積優選為1.?2?×1.?5mm2。
與現有技術相比,本發明方法工藝設計合理,體現了制作成本和材料性能的最佳統一,有利于熱量的傳導,散熱效果好,同時有效的提高了大功率LED的發光效率。
具體實施方式
實施例1,一種大功率LED的封裝工藝,其步驟如下:選用表面列機械損傷、尺寸和電極大小符合工藝要求的大功率LED的芯片,采用擴片機對粘結芯片的膜進行擴張,將芯片之間的間距拉伸到0.5-0.7mm;然后在LED支架的對應位置上點上銀膠層或者絕緣膠層來固定芯片;將芯片置于刺片裝置的夾具上,將LED支架置于夾具的下方,在顯微鏡下用針將LED芯片一個一個刺到LED支架相應的位置上;燒結,使銀膠固化;采用金絲球焊將電極壓焊到LED芯片上,連接LED的內外引線;然后將壓焊好的LED支架放入模具中,將模具合模并抽真空,環氧樹脂加熱后進入各個LED成型槽中并固化成型,即得。
實施例2,實施例1所述的大功率LED的封裝工藝中:所述的LED的芯片的基板材料為硅片,且硅片的厚度190-210μm。
實施例3,實施例1或2所述的大功率LED的封裝工藝中:芯片面積為1.?2?×1.?5mm2。
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