[發明專利]LED鋁基板絕緣層的制造方法

有效

• 申請號: 201210322652.8
• 申請日: 2012-09-03
• 公開（公告）號: CN103035831A
• 公開（公告）日: 2013-04-10
• 發明（設計）人: 馬鳳倉;劉平;李偉;劉新寬;陳小紅;何代華;楊麗紅
• 申請（專利權）人: 上海理工大學
• 主分類號: H01L33/64
• 分類號: H01L33/64;C25D11/04
• 代理公司: 上海德昭知識產權代理有限公司 31204
• 代理人: 郁旦蓉

1.一種在鋁基板上加工LED絕緣層的制造方法，其特征在于,包括：

(1)去油，用布擦拭所述鋁基板的表面以去除該鋁基板上的油污；

(2)將保護膜覆蓋住所述鋁基板上不需要加工的表面；

(3)微弧氧化，將覆蓋所述保護膜后的所述鋁基板放入電解液中進行微弧氧化，使所述鋁基板上未被覆蓋的表面產生了與該鋁基板為一體的氧化鋁絕緣層；

（4）拋光，采用拋光裝置對所述氧化鋁絕緣層進行拋光，使所述氧化鋁絕緣層的表面光潔，并控制該氧化鋁絕緣層成一定厚度；

（5）清洗，用水清洗拋光后的所述氧化鋁絕緣層的表面；

（6）干燥，將清洗后的所述氧化鋁絕緣層自然干燥。

2.根據權利要求1所述的鋁基板絕緣層，其特征還在于：

其中，所述鋁基板為AA1100純鋁，所述一定厚度為6um。

3.根據權利要求2所述的鋁基板絕緣層，其特征還在于：

其中，所述電解液由硅酸鈉與去離子水配制而成，采用1.5A/dm²的電流密度，在10℃～20℃的溫度下微弧氧化所述鋁基板5分鐘。

4.根據權利要求3所述的鋁基板絕緣層，其特征還在于：

其中，所述氧化鋁絕緣層的電阻為10MΩ。

5.根據權利要求3所述的鋁基板絕緣層，其特征還在于：

其中，所述氧化鋁絕緣層的導熱系數為10W/mK。?

6.根據權利要求1所述的鋁基板絕緣層，其特征還在于：

其中，所述鋁基板為5052鋁合金，所述一定厚度為5um。

7.根據權利要求6所述的鋁基板絕緣層，其特征還在于：

其中，所述電解液由稀硫酸配制而成，采用0.6A/dm²的電流密度，在5℃～10℃的溫度下微弧氧化所述鋁基板10分鐘。

8.根據權利要求7所述的鋁基板絕緣層，其特征還在于：

其中，所述氧化鋁絕緣層的電阻為6MΩ。

9.根據權利要求7所述的鋁基板絕緣層，其特征還在于：

其中，所述氧化鋁絕緣層的導熱系數為20W/mK。

10.根據權利要求1所述的鋁基板絕緣層，其特征還在于：

其中，所述保護膜為膠帶。?