[發明專利]有機電激發光顯示面板及其制造方法有效
| 申請號: | 201210322436.3 | 申請日: | 2012-09-03 |
| 公開(公告)號: | CN102856351A | 公開(公告)日: | 2013-01-02 |
| 發明(設計)人: | 張家駿;祝尚杰 | 申請(專利權)人: | 友達光電股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L21/77 |
| 代理公司: | 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006 | 代理人: | 梁揮;鮑俊萍 |
| 地址: | 中國臺灣新竹科*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 機電 激發 顯示 面板 及其 制造 方法 | ||
1.一種有機電激發光顯示面板,其特征在于,包括:
一基板;
一多層結構的抗反射層,配置于該基板上,該多層結構的抗反射層具有多個開口;
多個彩色濾光圖案,配置于該些開口內;
一像素陣列,配置于該多層結構的抗反射層以及該些彩色濾光圖案上,其中該像素陣列包括多個呈陣列排列的第一電極;
多個有機電激發光圖案,配置于該些第一電極上;以及
一第二電極,配置于該些有機電激發光圖案上。
2.根據權利要求1所述的有機電激發光顯示面板,其特征在于,該多層結構的抗反射層包括:
一第一金屬層,配置于該基板上;
一相位偏移層;以及
一第二金屬層,其中該相位偏移層位于該第一金屬層與該第二金屬層之間。
3.根據權利要求1所述的有機電激發光顯示面板,其特征在于,該多層結構的抗反射層包括:
一金屬層,配置于該基板上;
一第一介電層;以及
一第二介電層,其中該第一介電層位于該金屬層與該第二介電層之間。
4.根據權利要求1所述的有機電激發光顯示面板,其特征在于,該些開口包括多個第一開口、多個第二開口以及多個第三開口,該些彩色濾光圖案包括多個第一彩色濾光圖案、多個第二彩色濾光圖案以及多個第三彩色濾光圖案,各該第一彩色濾光圖案分別填入其中一個第一開口中,各該第二彩色濾光圖案分別填入其中一個第二開口中,而各該第三彩色濾光圖案分別填入其中一個第三開口中。
5.根據權利要求4所述的有機電激發光顯示面板,其特征在于,該些第一彩色濾光圖案為紅色濾光圖案,該些第二彩色濾光圖案為綠色濾光圖案,該些第三彩色濾光圖案為藍色濾光圖案,各該第一開口小于各該第二開口的尺寸,且各該第二開口的尺寸小于各該第三開口的尺寸。
6.根據權利要求5所述的有機電激發光顯示面板,其特征在于,該些有機電激發光圖案包括多個紅色有機電激發光圖案、多個綠色有機電激發光圖案以及多個藍色有機電激發光圖案,該些紅色有機電激發光圖案對應于該些紅色濾光圖案配置,該些綠色有機電激發光圖案對應于該些綠色濾光圖案配置,而該些藍色有機電激發光圖案對應于該些藍色濾光圖案配置。
7.根據權利要求1所述的有機電激發光顯示面板,其特征在于,該像素陣列更包括:
多條掃描線;
多條數據線;
多個切換晶體管,各該切換晶體管的一柵極分別與對應的掃描線電性連接,各該切換晶體管的一源極分別與對應的數據線電性連接;
多個驅動晶體管,各該驅動晶體管的一柵極分別與對應的切換晶體管的一漏極電性連接,各該驅動晶體管的一漏極分別與對應的第一電極電性連接,而各該驅動晶體管的一源極耦接至一電壓源;以及
一電容器,電性耦接于對應的驅動晶體管的源極以及對應的切換晶體管的漏極之間。
8.根據權利要求7所述的有機電激發光顯示面板,其特征在于,該多層結構的抗反射層具有至少一層金屬層,而各該切換晶體管的源極與該至少一層金屬層電性連接。
9.根據權利要求1所述的有機電激發光顯示面板,其特征在于,更包括一絕緣層,覆蓋于該多層結構的抗反射層上,其中該絕緣層位于該多層結構的抗反射層與該像素陣列之間。
10.一種有機電激發光顯示面板的制造方法,其特征在于,包括:
于一基板上形成一多層結構的抗反射層,該多層結構的抗反射層具有多個開口;
于該些開口內形成多個彩色濾光圖案;
于該多層結構的抗反射層以及該些彩色濾光圖案上形成一像素陣列,其中該像素陣列包括多個呈陣列排列的第一電極;
于該些第一電極上形成多個有機電激發光圖案;以及
于該些有機電激發光圖案上形成一第二電極。
11.根據權利要求10所述的有機電激發光顯示面板的制造方法,其特征在于,形成該多層結構的抗反射層的方法包括:
于該基板上形成一第一金屬層;
于該第一金屬層上形成一相位偏移層;以及
于該相位偏移層上形成一第二金屬層。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





