[發明專利]一種半導體裝置及其制造方法

有效

• 申請號: 201210322385.4
• 申請日: 2012-09-03
• 公開（公告）號: CN102842619A
• 公開（公告）日: 2012-12-26
• 發明（設計）人: 馬群剛
• 申請（專利權）人: 南京中電熊貓液晶顯示科技有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L21/336;H01L21/28
• 代理公司: 南京蘇高專利商標事務所(普通合伙) 32204
• 代理人: 夏雪

1.一種半導體裝置，包括一基板，所述基板上設有柵極、柵極絕緣層、有源層、源極以及漏極，其中有源層包括金屬氧化物半導體層、非晶硅層以及多晶硅層，金屬氧化物半導體層位于與柵極絕緣層接觸的一側，非晶硅層位于與源極和漏極之間，多晶硅層位于源極和漏極下方且與非晶硅層的兩側接觸。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于：在所述源極、漏極和非晶硅層的上方還形成保護絕緣層。

3.根據權利要求1所述有源層疊層結構的半導體裝置，其特征在于：所述多晶硅層是由非晶硅層通過金屬橫向誘導法工藝轉化成的。

4.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于：所述源極和漏極的材料為Cu與Ni的合金或Al與Ni的合金。

5.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于：所述源極和漏極為上層和下層的疊層結構，其中上層的材料為Cu或Al，下層的材料為Ni。

6.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于：所述金屬氧化物半導體層為非晶態金屬氧化物半導體層。

7.一種半導體裝置的制造方法，包括如下步驟：

(1)提供一基板，在該基板上進行第一金屬層成膜，通過第一次光刻工藝形成柵極圖案；

(2)在形成步驟(1)圖案的基礎上形成柵極絕緣層；

(3)在形成步驟(2)圖案的基礎上形成金屬氧化物半導體層和非晶硅層的成膜，通過第二次光刻工藝形成有源層圖案；

(4)在所述有源層上進行第二金屬層成膜，通過第三次光刻工藝形成源極和漏極圖案，對源極和漏極之間的溝道處的非晶硅進行過刻蝕，但不刻斷該非晶硅層；

(5)通過金屬橫向誘導法工藝，把所述源極和漏極下方的非晶硅層誘導成多晶硅層。

8.根據權利要求7所述半導體裝置的制造方法，其特征在于：還包括步驟(6)：在有所述漏極和非晶硅層的上方進行保護絕緣層成膜，形成保護絕緣層。

9.根據權利要求7所述半導體裝置的制造方法，其特征在于：所述源極和漏極的材料為Cu與Ni的合金或Al與Ni的合金。

10.根據權利要求7所述半導體裝置的制造方法，其特征在于：所述源極和漏極為上層和下層的疊層結構，其中上層的材料為Cu或Al，下層的材料為Ni。