[發明專利]MOCVD設備、溫度控制系統及控制方法有效
| 申請號: | 201210322271.X | 申請日: | 2012-09-04 |
| 公開(公告)號: | CN103668128A | 公開(公告)日: | 2014-03-26 |
| 發明(設計)人: | 趙輝;陳愛華;金小亮;張偉 | 申請(專利權)人: | 中晟光電設備(上海)有限公司 |
| 主分類號: | C23C16/52 | 分類號: | C23C16/52;C23C16/44 |
| 代理公司: | 上海信好專利代理事務所(普通合伙) 31249 | 代理人: | 張靜潔;徐雯瓊 |
| 地址: | 201203 上海市*** | 國省代碼: | 上海;31 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | mocvd 設備 溫度 控制系統 控制 方法 | ||
1.一種溫度控制系統,該溫度控制系統(500)輸入端連接有若干測溫傳感器,所述若干測溫傳感器用于檢測半導體薄膜沉積設備中各個加熱區域的溫度值,每個加熱區域對應于一個或多個測溫傳感器;溫度控制系統(500)輸出端連接有若干加熱單元(401),所述若干加熱單元用于根據溫度控制系統(500)輸出的功率對各個加熱區域進行加熱;
其特征在于,該溫度控制系統(500)包含:
功率值計算單元(52),用于接收各個測溫傳感器檢測的加熱區域的溫度值,根據該溫度值計算各個加熱區域對應的加熱區域功率值;
功率值轉換單元(54),用于接收功率值計算單元(52)輸出的各個加熱區域對應的加熱區域功率值,并將加熱區域功率值轉換為各個加熱單元(401)對應的加熱單元功率值后輸出;
功率輸出單元(56),用于接收功率值轉換單元(54)轉換輸出的各個加熱單元(401)對應的加熱單元功率值,根據該加熱單元功率值向各個加熱單元(401)輸出對應功率。
2.如權利要求1所述的溫度控制系統,其特征在于,所述的功率值轉換單元(54)包含:
輸入模塊,用于接收功率值計算單元(52)輸出的各個加熱區域對應的加熱區域功率值,將各加熱區域功率值作為一個輸入向量;
運算模塊,用于將預設的矩陣與所述輸入向量做矩陣乘法運算,得到輸出向量;
輸出模塊,用于將所述輸出向量作為各個加熱單元對應的加熱單元功率值,并輸出。
3.如權利要求2所述的溫度控制系統,其特征在于,所述輸入向量為n×1的列向量,所述預設的矩陣為m×n矩陣,所述輸出向量為m×1的列向量;
m表示所述功率值轉換單元(54)輸出信號的個數,m為正整數且大于等于2;
n表示所述功率值轉換單元(54)輸入信號的個數,n為正整數且大于等于2;
m大于或等于n。
4.如權利要求1所述的溫度控制系統,其特征在于,該溫度控制系統(500)還包含:
第一功率值補償單元(53),用于計算各個加熱區域對應的加熱區域熱損失功率值;
第一相加單元(57),用于將第一功率值補償單元(53)計算出的各個對應加熱區域的加熱區域熱損失功率值與所述功率值計算單元(52)計算出的加熱區域功率值對應相加,得到補償后的各個加熱區域對應的加熱區域補償后功率值;
所述的功率值轉換單元(54)將補償后的各個加熱區域對應的加熱區域補償后功率值轉換為各個加熱單元(401)對應的加熱單元功率值并輸出。
5.如權利要求1或4所述的溫度控制系統,其特征在于,該溫度控制系統(500)還包含:?
第二功率值補償單元(55),用于計算各個加熱單元(401)對應的加熱單元熱損失功率值;
第二相加單元(58),用于將第二功率值補償單元(55)計算出的各個加熱單元(401)的加熱單元熱損失功率值和所述功率值轉換單元(54)輸出的各個加熱單元(401)對應的加熱單元功率值對應相加,得到補償后的各個加熱單元(401)對應的加熱單元補償后功率值;
所述功率輸出單元(56)根據第二相加單元(58)輸出的補償后的各個加熱單元(401)對應的加熱單元補償后功率值,向各個加熱單元(401)輸出對應的功率。
6.如權利要求1所述的溫度控制系統,其特征在于,所述的功率值計算單元(52)包含有至少兩個功率值計算模塊(521),所述功率值計算模塊(521)與所述加熱區域一一對應;
每個功率值計算模塊(521)包含:
溫度計算模塊(501),用于根據預先設置的設定溫度值和調整時間,計算出對應加熱區域從當前溫度值到設定溫度值分步調整所需的若干個溫度設定值;
比較模塊(502),用于根據每步調整中對應測溫傳感器測量的加熱區域溫度值和所述溫度計算模塊(501)計算出的溫度設定值,計算得到溫度差值;
控制模塊(503),用于將所述比較模塊(502)計算得到的溫度差值轉換為控制模塊輸出功率值,并作為對應加熱區域的加熱區域功率值輸出。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于中晟光電設備(上海)有限公司,未經中晟光電設備(上海)有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201210322271.X/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





