[發明專利]一種四元合金封接材料

有效

• 申請號: 201210322186.3
• 申請日: 2012-09-04
• 公開（公告）號: CN102808104A
• 公開（公告）日: 2012-12-05
• 發明（設計）人: 晏弘
• 申請（專利權）人: 無錫日月合金材料有限公司
• 主分類號: C22C5/08
• 分類號: C22C5/08;C22C1/02;C22F1/14
• 代理公司: 無錫華源專利事務所 32228
• 代理人: 馮智文

技術領域

本發明涉及真空電子行業中真空電子管的封接材料，尤其是涉及一種Ag、Cu、Ge、Co四元合金封接材料。

背景技術

在真空電子管封接行業中，由于真空電子管使用頻率高，且一直要保持真空狀態，因此對真空電子管的封接材料，特別是對陶瓷與金屬、金屬與金屬的封接材料要求都比較高。現有常規的封接材料對使用頻率極高的真空電子管來說效果不太理想，如常規焊料封接后的器件氣密性不夠好、在長期的高頻率操作下抗氧化及防腐蝕性較差等。

發明內容

針對現有技術存在的上述問題，本申請人提供了一種四元合金封接材料。本發明清潔度高，防腐蝕、抗氧化性能好。

本發明的技術方案如下：

一種四元合金封接材料，其組分及各組分的質量百分比為：Ag：65~73%；Cu：25~30%；Ge：0.5~5%；Co：0.1~1.0%。

具體制備方式如下：

（1）將Ag、Cu、Ge、Co按配比放入真空熔煉爐內，爐內抽真空至0.4~0.04Pa，再加熱到1200~1400℃；

（2）待Ag、Cu、Ge、Co在真空熔煉爐內徹底熔化形成熔融液后，降溫至1000~1100℃，將熔融液倒至定型模具內，待溫度降到室溫后，再將定型模具從真空熔煉爐內拿出，得到加工本封接材料所需的鑄錠；

（3）將鑄錠進行軋機壓延，厚度達到1~2mm時，打卷置入真空熱處理爐升溫至600~700℃保溫2~5小時，然后降至常溫，取出后經軋機壓延至厚度為0.03~0.2mm，經修整沖壓成所需形狀即可。

本發明有益的技術效果在于：

本發明將Ag、Cu、Ge、Co按一定的比例配合，經真空熔煉、冷加工變形，最終得到本四元合金封裝材料。本發明中，由于組分中有Ge、Co元素，而真空熔煉合金焊料時所采用的大都是含碳極高的石墨坩鍋，同時由于Ge元素與碳不發生反應，因此可使封接材料的清潔度大大提高，從而使封接后的產品的氣密性更加良好。

本發明組分中的Ge、Co元素在空氣中都十分穩定，不受氧的侵蝕，同時Ge、Co元素對堿和部分酸都有很好的防腐作用，因此本封接材料和常規銀銅合金焊料相比，其抗氧化能力和防腐蝕能力大大提高，從而延長了產品的使用壽命。

具體實施方式

實施例1

（1）將Ag、Cu、Ge、Co按配比放入真空熔煉爐內，爐內抽真空至0.04Pa，再加熱到1280℃；

（2）待Ag、Cu、Ge、Co在真空熔煉爐內徹底熔化形成熔融液后，降溫至1000℃，將熔融液倒至定型模具內，待溫度降到室溫后，再將定型模具從真空熔煉爐內拿出，得到加工本封接材料所需的鑄錠；

（3）將鑄錠進行軋機壓延，厚度達到1mm時，打卷置入真空熱處理爐升溫至650℃保溫3小時，然后降至常溫，取出后經軋機壓延至厚度為0.1mm，經修整沖壓成所需形狀即可。

實施例2

（1）將Ag、Cu、Ge、Co按配比放入真空熔煉爐內，爐內抽真空至0.2Pa，再加熱到1200℃；

（2）待Ag、Cu、Ge、Co在真空熔煉爐內徹底熔化形成熔融液后，降溫至1050℃，將熔融液倒至定型模具內，待溫度降到室溫后，再將定型模具從真空熔煉爐內拿出，得到加工本封接材料所需的鑄錠；

（3）將鑄錠進行軋機壓延，厚度達到1.5mm時，打卷置入真空熱處理爐升溫至600℃保溫2小時，然后降至常溫，取出后經軋機壓延至厚度為0.04mm，經修整沖壓成所需形狀即可。

實施例3???

（1）將Ag、Cu、Ge、Co按配比放入真空熔煉爐內，爐內抽真空至0.4Pa，再加熱到1350℃；

（2）待Ag、Cu、Ge、Co在真空熔煉爐內徹底熔化形成熔融液后，降溫至1100℃，將熔融液倒至定型模具內，待溫度降到室溫后，再將定型模具從真空熔煉爐內拿出，得到加工本封接材料所需的鑄錠；

（3）將鑄錠進行軋機壓延，厚度達到2mm時，打卷置入真空熱處理爐升溫至700℃保溫4小時，然后降至常溫，取出后經軋機壓延至厚度為0.2mm，經修整沖壓成所需形狀即可。

實施例1~3所用的Ag、Cu、Ge、Co的質量如表1所示，單位為kg。

表1

本封接材料經過焊接到真空電子管上之后，測試其焊接性能，其測試結果如表2所示。

表2

從表2可以看出，本發明所制備的封接材料的焊接性能優于常規的封接材料，能滿足電子真空管的高頻率高氣密性使用要求。