[發明專利]基板剝離制程有效
| 申請號: | 201210321793.8 | 申請日: | 2012-09-03 |
| 公開(公告)號: | CN103208418A | 公開(公告)日: | 2013-07-17 |
| 發明(設計)人: | 欒大年;吳淇銘;江明盛;呂文璋 | 申請(專利權)人: | 元太科技工業股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/268 | 分類號: | H01L21/268;H01L23/00 |
| 代理公司: | 上海波拓知識產權代理有限公司 31264 | 代理人: | 楊波 |
| 地址: | 中國臺灣新竹*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 剝離 | ||
1.一種基板剝離制程,適于用以分離彼此接合的第一基板與第二基板,其中該第一基板具有第一接合面,該第二基板具有彼此相對的第二接合面與背面,該第一接合面與該第二接合面彼此接合,其特征在于,該基板剝離制程包括:
令光束以第一入射角自該背面入射而照射至該第一接合面與該第二接合面,其中該第一入射角大于0度且小于90度;以及
將該第一基板與該第二基板分離。
2.如權利要求1所述的基板剝離制程,其特征在于,令該光束以該第一入射角入射該背面的步驟包括:
沿不同方向令該光束照射至該第一接合面與該第二接合面至少兩次。
3.如權利要求2所述的基板剝離制程,其特征在于,令該光束以該第一入射角入射該背面的步驟進一步包括:
提供固定光源,適于發出該光束;
令該第二基板的該背面的法線方向相對該光束傾斜,而使該背面的法線方向與該光束之間的夾角為該第一入射角;以及
沿行進方向移動彼此接合的該第一基板與該第二基板,其中該第二基板的該背面平行該行進方向。
4.如權利要求3所述的基板剝離制程,其特征在于,該第二基板具有彼此相對的第一側與第二側,且該第一側在該行進方向上位于該第二側前方。
5.如權利要求4所述的基板剝離制程,其特征在于,令該光束以該第一入射角入射該背面的步驟進一步包括:
將彼此接合的該第一基板與該第二基板進行轉向,而使該第二側在該行進方向上位于該第一側前方;以及
令轉向后彼此接合的該第一基板與該第二基板沿該行進方向移動。
6.如權利要求2所述的基板剝離制程,其特征在于,令該光束以該第一入射角入射該背面的步驟進一步包括:
固定彼此接合的該第一基板與該第二基板;?
提供光源,適于發出該光束,其中該光源鄰近該第二基板的該背面;以及
令該光源自該第二基板的第一側朝向該第二基板的第二側移動,其中該第一側與該第二側彼此相對。
7.如權利要求6所述的基板剝離制程,其特征在于,令該光束以該第一入射角入射該背面的步驟進一步包括自該第二基板的該第二側朝向該第一側移動該光源。
8.如權利要求6所述的基板剝離制程,其特征在于,在將該光源自該第一側朝向該第二側移動之后,進一步包括:
轉動該光源,以使該光束以第二入射角入射該背面,其中該第二入射角與該第一入射角不同;以及
將該光源自該第二側朝向該第一側移動。
9.如權利要求1所述的基板剝離制程,其特征在于,該第一入射角大于或等于5度。
10.如權利要求1所述的基板剝離制程,其特征在于,在將該第一基板與該第二基板分離之前,進一步包括令該光束以第二入射角入射該第二基板的該背面,該第二入射角與該第一入射角不同。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





