[發明專利]摻雜共軛聚合物、器件及器件的制造方法

有效

• 申請號: 201210320957.5
• 申請日: 2009-04-10
• 公開（公告）號: CN102850728A
• 公開（公告）日: 2013-01-02
• 發明（設計）人: 文卡塔拉曼南·塞沙德里;克里斯托弗·T·布朗;杰西卡·本森-斯密斯;愛德華·S·楊
• 申請（專利權）人: 普萊克斯托尼克斯公司
• 主分類號: C08L65/00
• 分類號: C08L65/00;C08G61/12;C09D165/00
• 代理公司: 隆天國際知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 吳小瑛;菅興成

1.包含至少一種混合有至少一種氧化還原摻雜物的共軛聚合物的組合物，其中，所述共軛聚合物為3,4-二取代聚噻吩。

2.如權利要求1所述的組合物，其中，所述共軛聚合物為聚(3,4-二烷氧基噻吩)。

3.如權利要求1所述的組合物，其中，所述共軛聚合物由下式表示：

其中，R₁獨立地為烷氧基基團、任選被取代的烷基、任選被取代的芳氧基、任選被取代的烷撐氧、任選被取代的乙撐氧或任選被取代的丙撐氧；并且

R₂獨立地為烷氧基基團、任選被取代的烷基、任選被取代的芳氧基、任選被取代的烷撐氧、任選被取代的乙撐氧或任選被取代的丙撐氧。

4.如權利要求1所述的組合物，其中，所述共軛聚合物由下式表示：

其中，R₁獨立地為烷氧基烷氧基烷氧基基團，R₂獨立地為烷氧基烷氧基烷氧基基團。

5.如權利要求1所述的組合物，其中，所述共軛聚合物為聚(3,4-二(2-(2-丁氧基乙氧基)乙氧基)噻吩)-2,5二基。

6.如權利要求1所述的組合物，其中，所述氧化還原摻雜物為醌、硼烷、碳陽離子、硼-四氮雜萘并苯、銨鹽、锍鹽、氧鎓鹽、硒鎓鹽、亞硝鎓鹽、鉮鹽、鏻鹽、碘鎓鹽、金屬鹽或其組合。

7.如權利要求1所述的組合物，其中，所述氧化還原摻雜物為二苯基碘鎓鹽，且其中所述二苯基碘鎓鹽的苯環任選被取代。

8.如權利要求1所述的組合物，其中，所述組合物進一步包含不同于所述共軛聚合物的合成聚合物。

9.如權利要求1所述的組合物，其中，所述組合物進一步包含平面化劑。

10.如權利要求1所述的組合物，其中，所述組合物進一步包含平面化劑，其中所述平面化劑包括包含任選被取代的稠芳環或任選被取代的多環芳烴側基的聚合物。

11.如權利要求1所述的組合物，其中，所述組合物包含約25wt.%-約99wt.%的共軛聚合物和約1wt.%-約75wt.%的氧化還原摻雜物，其中，wt.%基于共軛聚合物和氧化還原摻雜物的總量。

12.如權利要求1所述的組合物，其中，所述氧化還原摻雜物的量為約0.01m/ru-約1m/ru，其中，m為所述氧化還原摻雜物的摩爾量，ru為共軛聚合物重復單元的摩爾量。

13.如權利要求1所述的組合物，其中，所述共軛聚合物可溶于四氫呋喃、氯仿、烷基化苯、鹵化苯、NMP、DMF、DMAc、DMSO、甲乙酮、環己酮、氯仿、二氯甲烷、丙酮、THF、二噁烷、乙酸乙酯、苯甲酸乙酯、碳酸乙二酯、碳酸丙二酯、1,2-二甲氧基乙烷、四氫吡喃或苯甲醚中。

14.如權利要求1所述的組合物，其進一步包含非質子性有機溶劑。

15.如權利要求1所述的組合物，其中，所述組合物被配制以用作有機電子器件的空穴注入層或空穴傳輸層。

16.如權利要求1所述的組合物，其中，所述組合物是在所述共軛聚合物和所述氧化還原摻雜物混合之后被加熱的。

17.如權利要求1所述的組合物，其中，所述摻雜物包含包括氟離子在內的陰離子，且所述組合物基本不含任何其他的全氟化物質。

18.如權利要求1所述的組合物，其中，所述組合物為涂布在基板上的膜，且所述膜對有機溶劑具有穩定性。

19.如權利要求1所述的組合物，其中，所述組合物為涂布在基板上的膜，且所述膜對甲苯具有穩定性。

20.如權利要求1所述的組合物，其進一步包含空穴傳輸化合物，其中，所述空穴傳輸化合物為小分子或空穴傳輸聚合物。

21.包含至少一種至少混合有光酸的共軛聚合物的組合物。

22.如權利要求21所述的組合物，其中，所述共軛聚合物包含聚噻吩骨架。

23.如權利要求21所述的組合物，其中，所述共軛聚合物為3,4-二取代聚噻吩。