[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件、溫度傳感器和制造半導(dǎo)體器件的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210320887.3
• 申請日: 2012-08-31
• 公開（公告）號: CN102969225A
• 公開（公告）日: 2013-03-13
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 格哈德·施密特
• 申請（專利權(quán)）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;G01K7/18
• 代理公司: 北京康信知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11240
• 代理人: 余剛;吳孟秋

1.一種半導(dǎo)體器件，包括：

半導(dǎo)體基底；

所述半導(dǎo)體基底上的非晶半絕緣層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述非晶半絕緣層具有電阻，所述電阻具有負溫度系數(shù)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述非晶半絕緣層具有關(guān)于-40°C和250°C之間的溫度范圍內(nèi)的溫度基本線性變化的電阻。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述非晶半絕緣層具有約0.8eV至約3eV的光學(xué)帶隙。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述非晶半絕緣層具有約0.3eV至1.0eV范圍內(nèi)的勢壘高度φ。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，還包括：

形成于所述半導(dǎo)體基底中的摻雜區(qū)，其中，所述非晶半絕緣層與所述摻雜區(qū)歐姆接觸；以及

與所述非晶半絕緣層歐姆接觸的金屬，其中，所述非晶半絕緣層提供了所述金屬和所述摻雜區(qū)之間的電連接。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述摻雜區(qū)具有至少1·10¹⁵/cm³的摻雜濃度。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述非晶半絕緣層是類金剛石碳層。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，還包括：

有源區(qū)和所述有源區(qū)周圍的外圍區(qū);

形成于所述外圍區(qū)中的邊緣鈍化，其中，所述非晶半絕緣層形成于所述外圍區(qū)中。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體器件，其中：

所述邊緣鈍化包括由類金剛石碳構(gòu)成的層；并且

所述非晶半絕緣層由類金剛石碳構(gòu)成。

11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述非晶半絕緣層與所述邊緣鈍化隔開。

12.一種溫度傳感器，包括非晶半絕緣層。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的溫度傳感器，其中，所述非晶半絕緣層由類金剛石碳構(gòu)成。

14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的溫度傳感器，還包括：

半導(dǎo)體基底，包括第一表面和配置在所述第一表面的第一摻雜區(qū)，所述非晶半絕緣層配置在所述第一摻雜區(qū)上并與其歐姆接觸；以及

第一金屬，位于所述非晶半絕緣層上并與其歐姆接觸。

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的溫度傳感器，其中，所述第一摻雜區(qū)具有至少1·10¹⁵/cm³的摻雜濃度。

16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的溫度傳感器，還包括位于所述第一摻雜區(qū)上并與其歐姆接觸的第二金屬，所述第一金屬和所述第二金屬彼此隔開。

17.根據(jù)權(quán)利要求14所述的溫度傳感器，還包括位于所述半導(dǎo)體基底的第二表面上并與其電連接的第二金屬。

18.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，包括：

提供半導(dǎo)體基底；以及

在所述半導(dǎo)體基底上形成非晶半絕緣層。

19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其中，所述非晶半絕緣層沉積在所述半導(dǎo)體基底上。

20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其中，所述非晶半絕緣層通過等離子體沉積、利用在約-100V至約-1000V的范圍內(nèi)的DC偏壓而沉積在所述半導(dǎo)體基底上。

21.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其中，所述非晶半絕緣層通過等離子體沉積、利用在約50W至約1200W的范圍內(nèi)的RF功率而沉積在所述半導(dǎo)體基底上。

22.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，還包括對所述非晶半絕緣層退火。

23.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，還包括：

在所述半導(dǎo)體基底中形成第一摻雜區(qū)；

在所述第一摻雜區(qū)的一部分上形成所述非晶半絕緣層；

形成位于所述非晶半絕緣層上并與其歐姆接觸的第一金屬；以及

形成位于所述第一摻雜區(qū)上并與其歐姆接觸的第二金屬。

24.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，還包括：

在所述半導(dǎo)體基底的第一表面形成第一摻雜區(qū)；

在所述第一摻雜區(qū)上形成所述非晶半絕緣層；

形成位于所述非晶半絕緣層上并與其歐姆接觸的第一金屬；

在所述非晶半絕緣層的第二表面形成第二摻雜區(qū)；以及

形成位于所述第二摻雜區(qū)上并與其歐姆接觸的第二金屬。