[發明專利]一種自組裝技術原位生成無機納米粒子雜化膜的制備方法有效
| 申請號: | 201210320750.8 | 申請日: | 2012-08-31 |
| 公開(公告)號: | CN102824856A | 公開(公告)日: | 2012-12-19 |
| 發明(設計)人: | 紀樹蘭;汪林;申雅源;郭紅霞;張國俊 | 申請(專利權)人: | 北京工業大學 |
| 主分類號: | B01D69/12 | 分類號: | B01D69/12;B01D67/00 |
| 代理公司: | 北京思海天達知識產權代理有限公司 11203 | 代理人: | 張慧 |
| 地址: | 100124 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 組裝 技術 原位 生成 無機 納米 粒子 雜化膜 制備 方法 | ||
1.一種自組裝技術原位生成無機納米粒子雜化膜的制備方法,其特征在于,該方法包括以下步驟:
a)將聚陽離子電解質、聚陰離子電解質分別加入到溶劑中,攪拌均勻,制得聚陽離子制膜液、聚陰離子制膜液;
另將無機納米粒子的前驅體溶液加入到聚陽離子制膜液或聚陰離子制膜液,磁力攪拌1-4h,制得含前驅體的聚陽離子制膜液、含前驅體的聚陰離子制膜液;
b)使基膜荷上負電或正電后,在0.05~0.5Mpa壓力作用下,對應將步驟(a)中聚陽離子制膜液或聚陰離子制膜液在基膜表面動態過濾10~60分鐘,使聚陽離子或聚陰離子在膜表面或孔內被截留,形成聚陽離子或聚陰離子薄膜層;
c)將步驟(b)的膜片用去離子水漂洗并烘干;
d)在0.05~0.5Mpa壓力作用下,對應將步驟(a)中聚陰離子制膜液或聚陽離子制膜液在步驟(c)的膜片表面動態過濾10~60分鐘,使聚陰離子或聚陽離子與膜片上的聚陽離子或聚陰離子反應;
e)將步驟(d)的膜片用去離子水漂洗并烘干;
f)將聚陽離子、聚陰離子制膜液對應替換為步驟(a)中含前驅體的聚陽離子制膜液、含前驅體的聚陰離子制膜液,按照步驟(b)~(e)重復1-10次;
g)步驟(f)中膜片表面形成無機納米粒子雜化有機聚合物多層膜。
2.按照權利要求1的方法,其特征在于,所述的無機納米粒子前驅體材料為硅酸鈉、硅酸或正硅酸乙酯。
3.按照權利要求1的方法,其特征在于,含前驅體的聚陽離子制膜液、含前驅體的聚陰離子制膜液中前驅體的濃度為0.01wt%~1wt%。
4.按照權利要求1的方法,其特征在于,基膜為微濾膜、超濾膜或納濾膜,基膜材料為有機聚合物。
5.一種自組裝技術原位生成無機納米粒子雜化膜的制備方法,其特征在于,該方法包括以下步驟:
(1)將聚陽離子電解質、聚陰離子電解質分別加入到溶劑中,攪拌均勻,制得聚陽離子制膜液、聚陰離子制膜液;將前驅體溶于溶劑中,攪拌均勻,配制前驅體溶液;
(2)使基膜荷上負電或正電后,在0.05~0.5Mpa壓力作用下,對應將步驟(1)中聚陽離子制膜液或聚陰離子制膜液在基膜表面動態過濾10~60分鐘,使聚陽離子或聚陰離子在膜表面或孔內被截留,形成聚陽離子或聚陰離子薄膜層;
(3)將步驟(2)的膜片用去離子水漂洗并烘干;
(4)在0.05~0.5Mpa壓力作用下,對應將步驟(1)中聚陰離子制膜液或聚陽離子制膜液在步驟(3)的膜片表面動態過濾10~60分鐘,使聚陰離子或聚陽離子與膜片上的聚陽離子或聚陰離子反應;
(5)將步驟(4)的膜片用去離子水漂洗并烘干;
(6)在0.05~0.5MPa壓力作用下,將步驟(1)中前驅體溶液在步驟(5)的膜片表面動態過濾10~60分鐘,使前驅體在膜表面或孔內被截留,形成前驅體薄層;
(7)將步驟(6)的膜片用去離子水漂洗并烘干;
(8)重復(2)~(7)步驟1-10次,在膜片表面形成無機納米粒子雜化聚電解質多層膜。
6.按照權利要求5的方法,其特征在于,所述的無機納米粒子前驅體材料為硅酸鈉、硅酸或正硅酸乙酯。
7.按照權利要求5的方法,其特征在于,前驅體溶液的濃度為0.01wt%~1wt%。
8.按照權利要求5的方法,其特征在于,基膜為微濾膜、超濾膜或納濾膜,基膜材料為有機聚合物。
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