[發明專利]一種準單晶硅錠的切割方法及硅片制造方法

有效

• 申請號: 201210320601.1
• 申請日: 2012-08-31
• 公開（公告）號: CN102814866A
• 公開（公告）日: 2012-12-12
• 發明（設計）人: 王楠;黎志欣;王軍;郭大偉
• 申請（專利權）人: 北京京運通科技股份有限公司
• 主分類號: B28D1/02
• 分類號: B28D1/02;C30B29/06
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291
• 代理人: 黃志華

1.一種準單晶硅錠的切割方法，其特征在于，該方法包括：

在正面外形尺寸為第一尺寸的準單晶硅錠上，確定一能將所述準單晶硅錠中生長單晶部分全部包圍的正方形邊長尺寸，作為第二尺寸；

采用與第二尺寸匹配度最大的開方方式，將所述準單晶硅錠切割為正面外形尺寸為固定大小的硅塊；

其中，所述匹配度最大指切割出固定大小硅塊的數量最多。

2.如權利要求1所述的切割方法，其特征在于，所述采用與第二尺寸匹配度最大的開方方式，將所述準單晶硅錠切割為正面外形尺寸為固定大小的硅塊，具體包括：

根據所述固定大小硅塊的正面外形尺寸與所述第二尺寸，確定所述第二尺寸內能夠切割出所述固定大小硅塊的數量N；

根據能夠切割出所述固定大小硅塊的數量N，將邊長尺寸為所述第二尺寸且包圍生長單晶部分的正方形區域，分割為m*m個且邊長為所述固定大小硅塊的正面外形尺寸的小正方形區域，其中，m*m=N；

采用與所述m*m個小正方形區域完全重合的開方方式，將所述準單晶硅錠切割為N個固定大小的硅塊。

3.如權利要求2所述的切割方法，其特征在于，在確定了所述第二尺寸內能夠切割出所述固定大小硅塊的數量N后，該方法還包括：

對能夠切割出所述固定大小硅塊的數量N取模，并根據取模得到的余數進行N的奇偶性判斷；

根據所述N的奇偶性判斷結果，將邊長尺寸為所述第二尺寸且包圍生長單晶部分的正方形區域，分割為m*m個且邊長為所述固定大小硅塊的正面外形尺寸的小正方形區域。

4.如權利要求3所述的切割方法，其特征在于，當確定的所述第二尺寸內能夠切割出固定大小硅塊數量N為偶數時，所述將邊長尺寸為所述第二尺寸且包圍生長單晶部分的正方形區域，分割為m*m個且邊長為所述固定大小硅塊的正面外形尺寸的小正方形區域，具體包括：

以包圍生長單晶部分的正方形區域的中心點為起點，并以所述固定大小硅塊的正面外形尺寸為步長，將邊長尺寸為所述第二尺寸且包圍生長單晶部分的正方形區域，分割為m*m個且邊長為所述固定大小硅塊的正面外形尺寸的小正方形區域。

5.如權利要求3所述的切割方法，其特征在于，當確定的所述第二尺寸內能夠切割出固定大小硅塊數量N為奇數時，所述將邊長尺寸為所述第二尺寸且包圍生長單晶部分的正方形區域，分割為m*m個且邊長為所述固定大小硅塊的正面外形尺寸的小正方形區域，具體包括：

以包圍生長單晶部分的正方形區域的中心點作為小正方形區域的中心點，并以所述固定大小硅塊的正面外形尺寸為步長，將邊長尺寸為所述第二尺寸且包圍生長單晶部分的正方形區域，分割為m*m個且邊長為所述固定大小硅塊的正面外形尺寸的小正方形區域。

6.如權利要求2-5任一項所述的切割方法，其特征在于，該方法還包括：

將所述m*m個小正方形區域以正方形陣列形式排布，組成正方形陣列區域；

采用與所述m*m個小正方形區域組成的正方形陣列區域完全重合的開方方式，將所述準單晶硅錠切割為N個固定大小的硅塊。

7.如權利要求1-6任一項所述的切割方法，其特征在于，所述固定大小硅塊的正面外形尺寸為：

156mm*156mm。

8.一種硅片制造方法，其特征在于，該方法包括：

制作準單晶硅錠；

按照權利要求1-7任一項所述的準單晶硅錠切割方法將所述準單晶硅錠切割為固定大小的硅塊；將所述硅塊按照設定的硅片厚度切割為硅片。