[發明專利]半導體器件

無效

• 申請號: 201210320528.8
• 申請日: 2012-08-31
• 公開（公告）號: CN103311242A
• 公開（公告）日: 2013-09-18
• 發明（設計）人: 末代知子;小倉常雄
• 申請（專利權）人: 株式會社東芝
• 主分類號: H01L27/06
• 分類號: H01L27/06
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 陳萍

1.一種半導體器件，其特征在于，具有：

基板，由第1導電型半導體構成；

基極層，設置在所述基板的一面側，由第2導電型半導體構成；

正極層，在所述基極層的一部分的區域中使雜質總量增加而成；

IGBT區域，形成于所述基極層；

二極管區域，與所述IGBT區域鄰接，并形成于所述正極層；

溝槽，被設置成從所述IGBT區域及所述二極管區域的表面側到達所述基板，且所述二極管區域中的占有面積不同于所述IGBT區域中的占有面積；

漏極層，與所述IGBT區域相對置，設置在所述基板的另一面側，由第2導電型半導體構成；及

負極層，與所述二極管區域相對置，與所述漏極層鄰接設置，由第1導電型半導體構成。

2.根據權利要求1所記載的半導體器件，其中，

所述二極管區域中的所述溝槽的占有面積比所述IGBT區域中的所述溝槽的占有面積還大。

3.根據權利要求2所記載的半導體器件，其中，

所述二極管區域中的所述溝槽形成為格子狀。

4.根據權利要求2所記載的半導體器件，其中，

所述二極管區域中的所述溝槽的間隔比所述IGBT區域中的所述溝槽的間隔還窄。

5.根據權利要求2所記載的半導體器件，其中，

所述二極管區域中的所述溝槽的溝槽寬度比所述IGBT區域中的所述溝槽的溝槽寬度還寬。

6.根據權利要求1所記載的半導體器件，其中，

所述溝槽僅設置于所述IGBT區域。

7.根據權利要求1至6任一項所記載的半導體器件，其中，

所述漏極層的一部分與所述二極管區域相對設置。