[發(fā)明專利]發(fā)光二極管封裝有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210320397.3 | 申請日: | 2012-08-31 |
| 公開(公告)號: | CN102983256A | 公開(公告)日: | 2013-03-20 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 楊文焜 | 申請(專利權(quán))人: | 金龍國際公司 |
| 主分類號: | H01L33/62 | 分類號: | H01L33/62 |
| 代理公司: | 北京市浩天知識產(chǎn)權(quán)代理事務所 11276 | 代理人: | 劉云貴 |
| 地址: | 維爾京群島托*** | 國省代碼: | 維爾京群島;VG |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 發(fā)光二極管 封裝 | ||
1.一種發(fā)光二極管封裝,其特征在于,包含:
基板,具有貫穿該基板的預先形成的P型通孔及N型通孔;
反射層,形成于該基板的上表面上;
發(fā)光二極管晶粒,具有與該P型通孔及該N型通孔對準的P型墊及N型墊;該P型墊及該N型墊形成于該發(fā)光二極管晶粒的第一表面上;其中該發(fā)光二極管晶粒形成于該基板的該上表面上;以及
回填材料,其在該P型通孔及該N型通孔之內(nèi),由此從該P型墊及該N型墊形成電性連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝,其特征在于,還包含透鏡,其形成于該基板的該上表面上。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝,其特征在于,還包含P型終端墊,其在該基板的下方且通過該P型通孔耦合至該P型墊,以及N型終端墊,其在該基板的下方且通過該N型通孔耦合至該N型墊。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝,其特征在于,還包含主動區(qū)域終端墊,其在該基板的下方且耦合至該發(fā)光二極管晶粒的該主動區(qū)域。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝,其特征在于,還包含透明黏著層,其形成于該反射層上。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的發(fā)光二極管封裝,其特征在于,其中該反射層通過濺射或電鍍銀或鋁或金而形成。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝,其特征在于,其中該發(fā)光二極管晶粒包含藍寶石基板且在第二表面上沒有反射層。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的發(fā)光二極管封裝,其特征在于,其中熒光材料形成于該發(fā)光二極管晶粒的該第二表面上;該第一表面不同于該第二表面。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝,其特征在于,其中該回填材料由鋁、鈦、銅、鎳或銀所形成。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的發(fā)光二極管封裝,其特征在于,其中該回填材料由銅或鎳或金所形成。
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