[發(fā)明專利]可逆熱敏記錄介質(zhì)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210320310.2
• 申請(qǐng)日: 2012-08-31
• 公開（公告）號(hào): CN102975508A
• 公開（公告）日: 2013-03-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 立脅忠文
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 株式會(huì)社理光
• 主分類號(hào): B41M5/41
• 分類號(hào): B41M5/41;B41M5/42
• 代理公司: 北京紀(jì)凱知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11245
• 代理人: 趙蓉民;張全信

1.可逆熱敏記錄介質(zhì)，其包含：

基底；和

置于所述基底上的可逆熱敏記錄層，

其中所述基底包括第一載體、電子信息記錄模塊、覆蓋所述第一載體的粘合劑和通過進(jìn)行激光標(biāo)記在其表面中形成凹槽作為激光標(biāo)記的第二載體，并且

其中最大深度A與所述可逆熱敏記錄介質(zhì)的總厚度的比率是20%或更小，其中所述最大深度A是關(guān)于所述可逆熱敏記錄介質(zhì)的厚度方向從所述第二載體的表面至所述激光標(biāo)記的凹槽的底部的長(zhǎng)度。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可逆熱敏記錄介質(zhì)，其中所述激光標(biāo)記通過在0.0142W/(mm/s)或更低的能量密度下進(jìn)行激光標(biāo)記形成。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可逆熱敏記錄介質(zhì)，其中所述可逆熱敏記錄層包含給電子成色化合物和受電子化合物。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可逆熱敏記錄介質(zhì)，其中所述可逆熱敏記錄介質(zhì)是卡或片的形狀。

5.可逆熱敏記錄介質(zhì)，其包含：

基底；和

置于所述基底上的可逆熱敏記錄層，

其中所述基底包括第一載體、電子信息記錄模塊、覆蓋所述第一載體的粘合劑和通過進(jìn)行激光標(biāo)記在其表面中形成凹槽和沿著所述凹槽的邊界的突起作為激光標(biāo)記的第二載體，以及

其中最大深度B與所述可逆熱敏記錄介質(zhì)的總厚度的比率是23%或更小，其中所述最大深度B是最大深度A和最大深度C的總和，所述最大深度A是關(guān)于所述可逆熱敏記錄介質(zhì)的厚度方向從所述第二載體的表面至所述激光標(biāo)記的凹槽的底部的長(zhǎng)度，并且所述最大深度C是關(guān)于所述可逆熱敏記錄介質(zhì)的厚度方向從所述第二載體的表面至所述激光標(biāo)記的突起的頂點(diǎn)的長(zhǎng)度。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的可逆熱敏記錄介質(zhì)，其中所述激光標(biāo)記通過在0.0142W/(mm/s)或更低的能量密度下進(jìn)行激光標(biāo)記形成。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的可逆熱敏記錄介質(zhì)，其中所述可逆熱敏記錄層包含給電子成色化合物和受電子化合物。

8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的可逆熱敏記錄介質(zhì)，其中所述可逆熱敏記錄介質(zhì)是卡或片的形狀。

9.可逆熱敏記錄介質(zhì)，其包含：

基底；和

置于所述基底上的可逆熱敏記錄層，

其中所述基底包括第一載體、電子信息記錄模塊、覆蓋所述第一載體的粘合劑和通過進(jìn)行激光標(biāo)記在其表面中形成凹槽和沿著所述凹槽的邊界的突起作為激光標(biāo)記的第二載體，并且

其中最大深度A與所述可逆熱敏記錄介質(zhì)的總厚度的比率是20%或更小，并且最大深度B與所述可逆熱敏記錄介質(zhì)的總厚度的比率是23%或更小，其中所述最大深度A是關(guān)于所述可逆熱敏記錄介質(zhì)的厚度方向從所述第二載體的表面至所述激光標(biāo)記的凹槽的底部的長(zhǎng)度，并且所述最大深度B是所述最大深度A和最大深度C的總和，其中所述最大深度C是關(guān)于所述可逆熱敏記錄介質(zhì)的厚度方向從所述第二載體的表面至所述激光標(biāo)記的突起的頂點(diǎn)的長(zhǎng)度。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的可逆熱敏記錄介質(zhì)，其中所述激光標(biāo)記通過在0.0142W/(mm/s)或更低的能量密度下進(jìn)行激光標(biāo)記形成。

11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的可逆熱敏記錄介質(zhì)，其中所述可逆熱敏記錄層包含給電子成色化合物和受電子化合物。

12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的可逆熱敏記錄介質(zhì)，其中所述可逆熱敏記錄介質(zhì)是卡或片的形狀。