[發(fā)明專利]一種制備低應(yīng)力GaN薄膜的方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210320301.3
• 申請日: 2012-08-31
• 公開（公告）號: CN102856172A
• 公開（公告）日: 2013-01-02
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 修向前;華雪梅;張士英;林增欽;謝自力;張榮;韓平;陸海;顧書林;施毅;鄭有炓
• 申請（專利權(quán)）人: 南京大學(xué)
• 主分類號: H01L21/20
• 分類號: H01L21/20
• 代理公司: 南京天翼專利代理有限責(zé)任公司 32112
• 代理人: 湯志武

1.一種制備低應(yīng)力GaN薄膜的方法，其特征是通過光助法腐蝕溶劑腐蝕GaN/藍(lán)寶石復(fù)合襯底，形成納米結(jié)構(gòu)的GaN/藍(lán)寶石復(fù)合襯底；光助法腐蝕采用紫外光輔助腐蝕，腐蝕溶劑采用強(qiáng)堿和氧化劑混合溶液，即NaOH或KOH摩爾濃度范圍為0.5-1.5M與K₂S₂O₈的混和物摩爾濃度范圍為0.05-0.15M，在室溫或50℃以下的溫度，反應(yīng)時間為0.5-10小時；得到納米結(jié)構(gòu)GaN/藍(lán)寶石復(fù)合襯底。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備低應(yīng)力GaN薄膜的方法，其特征是所述的納米結(jié)構(gòu)GaN/藍(lán)寶石復(fù)合襯底放在HVPE生長系統(tǒng)中進(jìn)行橫向外延生長，得到低應(yīng)力GaN薄膜。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備低應(yīng)力GaN薄膜的方法，其特征是紫外光子的能量應(yīng)大于3.4eV，對應(yīng)GaN的禁帶寬度，相對應(yīng)紫外波長小于365nm。