[發明專利]能夠降低不均勻亮度分布的LED 陣列有效
| 申請號: | 201210320249.1 | 申請日: | 2012-08-31 |
| 公開(公告)號: | CN102983146A | 公開(公告)日: | 2013-03-20 |
| 發明(設計)人: | 宮地護;齋藤龍舞;原田光范 | 申請(專利權)人: | 斯坦雷電氣株式會社 |
| 主分類號: | H01L27/15 | 分類號: | H01L27/15;H01L33/24;H01L33/38;F21S8/10 |
| 代理公司: | 北京三友知識產權代理有限公司 11127 | 代理人: | 李輝;黃綸偉 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 能夠 降低 不均勻 亮度 分布 led 陣列 | ||
1.一種半導體發光元件陣列,其中,多個半導體發光元件被設置在第一方向較長的長方形基板上,所述多個半導體發光元件中的每一個包括:
電極層,其形成在所述基板上;
半導體發光層,其形成在所述電極層上,并且包括電連接到所述電極層的p型半導體層、形成在所述p型半導體層上的有源層和形成在所述有源層上的n型半導體層;
第一布線層,其沿著所述半導體發光層的一個邊形成并且平行于該邊;以及
多個第二布線層,其從所述第一布線層向所述半導體發光層延伸,并且電連接到所述半導體發光層的表面上的所述n型半導體層,
其中,所述半導體發光層的平面形狀包括與所述第一方向平行的上邊和下邊以及包括相對于與所述上邊和所述下邊垂直的線傾斜的部分的兩個短邊,并且
從所述上邊與所述短邊相交的頂點起的垂線與相鄰發光元件的所述下邊交叉。
2.根據權利要求1所述的半導體發光元件陣列,其中,所述平面形狀是平行四邊形。
3.根據權利要求1所述的半導體發光元件陣列,其中,所述平面形狀是梯形。
4.根據權利要求1所述的半導體發光元件陣列,其中,
所述第一布線層沿著所述半導體發光層的所述上邊和所述下邊中的任一個形成,并且與所述上邊和所述下邊中的所述一個平行,
所述第二布線層從所述第一布線層延伸到所述半導體發光層中,并且
所述相鄰發光元件的所述第一布線層交替地沿著上邊和下邊設置。
5.根據權利要求1所述的半導體發光元件陣列,其中,
所述第一布線層電連接到所述相鄰發光元件的所述電極層,并且
所述多個半導體發光元件串聯連接。
6.一種車輛用燈具,該車輛用燈具包括:
至少兩個半導體發光元件陣列,各個半導體發光元件陣列包括設置在第一方向較長的長方形基板上的多個半導體發光元件,所述多個半導體發光元件中的每一個包括:電極層,其形成在所述基板上;半導體發光層,其形成在所述電極層上,并且包括電連接到所述電極層的p型半導體層、形成在所述p型半導體層上的有源層和形成在所述有源層上的n型半導體層;第一布線層,其沿著所述半導體發光層的一個邊形成并且平行于該邊;以及多個第二布線層,其從所述第一布線層向所述半導體發光層延伸,并且電連接到所述半導體發光層的表面上的所述n型半導體層,其中,所述半導體發光層的平面形狀包括與所述第一方向平行的上邊和下邊以及包括相對于與所述上邊和所述下邊垂直的線傾斜的部分的兩個短邊,并且從所述上邊與所述短邊相交的頂點起的垂線與相鄰發光元件的所述下邊交叉;以及
光學系統,其對所述至少兩個半導體發光元件陣列的投影像進行投影,以交疊在投影面上,
其中,所述至少兩個半導體發光元件陣列被設置為使得所述投影像的亮度分布180度旋轉對稱。
7.一種半導體發光元件陣列,其中,多個半導體發光元件被設置在第一方向較長的長方形基板上,所述多個半導體發光元件中的每一個包括:
電極層,其形成在所述基板上;
半導體發光層,其形成在所述電極層上,并且包括電連接到所述電極層的p型半導體層、形成在所述p型半導體層上的有源層和形成在所述有源層上的n型半導體層;
第一布線層,其沿著所述半導體發光層的一個邊形成并且平行于該邊;
多個第二布線層,其從所述第一布線層向所述半導體發光層延伸,并且電連接到所述半導體發光層的表面上的所述n型半導體層;以及
熒光體層,其形成在所述半導體發光層上方,
其中,所述半導體發光層的平面形狀包括與所述第一方向平行的底邊和包括相對于與該底邊垂直的線傾斜的部分的至少一個邊,并且
所述半導體發光層的所述第一方向上的寬度隨著離開所述底邊而減小。
8.根據權利要求7所述的半導體發光元件陣列,其中,所述平面形狀是三角形。
9.根據權利要求7所述的半導體發光元件陣列,其中,
相鄰發光元件的所述第一布線層交替地沿著上邊和下邊設置。
10.根據權利要求7所述的半導體發光元件陣列,其中,
所述第一布線層電連接到所述相鄰發光元件的所述電極層,并且
所述多個半導體發光元件串聯連接。
11.一種車輛用燈具,該車輛用燈具包括:
半導體發光元件陣列,其中,多個半導體發光元件被設置在第一方向較長的長方形基板上,所述多個半導體發光元件中的每一個包括:電極層,其形成在所述基板上;半導體發光層,其形成在所述電極層上,并且包括電連接到所述電極層的p型半導體層、形成在所述p型半導體層上的有源層和形成在所述有源層上的n型半導體層;第一布線層,其沿著所述半導體發光層的一個邊形成并且平行于該邊;多個第二布線層,其從所述第一布線層向所述半導體發光層延伸,并且電連接到所述半導體發光層的表面上的所述n型半導體層;以及熒光體層,其形成在所述半導體發光層上方,其中,所述半導體發光層的平面形狀包括與所述第一方向平行的底邊和包括相對于與該底邊垂直的線傾斜的部分的至少一個邊,并且所述半導體發光層的所述第一方向上的寬度隨著離開所述底邊而減小;以及
光學系統,其對所述半導體發光元件陣列的投影像進行投影。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





