[發(fā)明專利]半導體器件及其制造方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210320058.5
• 申請日: 2012-08-30
• 公開（公告）號: CN102969337A
• 公開（公告）日: 2013-03-13
• 發(fā)明（設計）人: 禹元植
• 申請（專利權）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L27/115;H01L21/8247
• 代理公司: 北京弘權知識產(chǎn)權代理事務所(普通合伙) 11363
• 代理人: 周曉雨;俞波

1.一種半導體器件，包括：

半導體襯底，所述半導體襯底包括沿第一方向延伸的有源區(qū)；

選擇線，所述選擇線沿與所述第一方向相交叉的第二方向設置在半導體襯底上；

結，所述結分別設置在所述有源區(qū)上，處于所述選擇線之間，并包括第一雜質(zhì)；

多個氧化物層，所述多個氧化物層填充所述選擇線之間的空間；

結延伸部，所述結延伸部耦接在所述結之下，并設置在所述半導體襯底的有源區(qū)上，其中，所述結延伸部包括第二雜質(zhì)；以及

接觸插塞，所述接觸插塞穿通所述多個氧化物層中的至少一個，并與所述結和所述結延伸部接觸。

2.如權利要求1所述的半導體器件，其中，所述結延伸部分別設置在所述有源區(qū)的側(cè)壁上。

3.如權利要求1所述的半導體器件，其中，所述第二雜質(zhì)具有比所述第一雜質(zhì)更高的雜質(zhì)濃度。

4.如權利要求1所述的半導體器件，其中，所述接觸插塞沿所述選擇線的方向延伸。

5.如權利要求1所述的半導體器件，其中，所述選擇線包括第一漏極選擇線和第二漏極選擇線，以及

所述接觸插塞包括第一漏極接觸插塞和第二漏極接觸插塞，所述第一漏極接觸插塞與所述第一漏極選擇線相鄰，并與沿所述第一漏極選擇線和所述第二漏極選擇線的方向布置的有源區(qū)之中的奇數(shù)有源區(qū)相耦接，所述第二漏極接觸插塞與所述第二漏極選擇線相鄰，并與沿所述第一漏極選擇線和所述第二漏極選擇線方向布置的有源區(qū)之中的偶數(shù)有源區(qū)相耦接。

6.如權利要求1所述的半導體器件，還包括字線，所述字線利用比所述選擇線之間的距離更短的距離間隔開，并在所述半導體襯底上與所述選擇線相鄰地布置。

7.如權利要求6所述的半導體器件，其中，所述多個氧化物層包括：

第一氧化物層，所述第一氧化物層限定所述字線之間的空氣間隙，其中，所述第一氧化物層設置在所述字線之間并沿著所述選擇線的側(cè)壁設置；

第二氧化物層，所述第二氧化物層用于在所述第一氧化物層之上沿著所述選擇線的側(cè)壁形成的間隔件；以及

第三氧化物層，所述第三氧化物層填充在所述選擇線之間。

8.如權利要求7所述的半導體器件，還包括：

第一層間絕緣層，所述第一層間絕緣層形成在所述第三氧化物層之上，其中，所述接觸插塞穿通所述第一層間絕緣層；

覆蓋層，所述覆蓋層形成在所述第一層間絕緣層之上，其中，所述接觸插塞穿通所述覆蓋層；以及

第二層間絕緣層，所述第二層間絕緣層形成所述覆蓋層之上，其中，所述接觸插塞穿通所述第二層間絕緣層。

9.如權利要求8所述的半導體器件，其中，所述第一層間絕緣層和所述第二層間絕緣層是氧化物層，并且所述覆蓋層是氮化物層。

10.一種制造半導體器件的方法，所述方法包括以下步驟：

在半導體襯底上形成沿與第一方向相交叉的第二方向延伸的選擇線，其中，所述半導體襯底具有被隔離層分隔開并沿所述第一方向延伸的有源區(qū)；

通過在所述選擇線之間分別將第一雜質(zhì)注入到所述有源區(qū)中而形成結，并且形成填充在所述選擇線之間的多個氧化物層；

通過刻蝕所述多個氧化物層中的至少一個來形成暴露所述結的接觸孔；

通過將第二雜質(zhì)注入到在形成所述接觸孔時由于所述隔離層的損失而暴露的半導體襯底的有源區(qū)中來形成結延伸部；以及

形成用于填充所述接觸孔的接觸插塞。

11.如權利要求10所述的方法，其中，形成所述結延伸部的步驟包括將所述第二雜質(zhì)注入到所述有源區(qū)的側(cè)壁中。

12.如權利要求10所述的方法，其中，在形成所述選擇線的步驟期間還形成利用比所述選擇線之間的距離更小的距離間隔開的字線。