[發(fā)明專利]深溝槽頂部傾斜角形成的工藝方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210319871.0
• 申請日: 2012-08-31
• 公開（公告）號: CN103035561A
• 公開（公告）日: 2013-04-10
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 吳智勇;劉鵬
• 申請（專利權(quán)）人: 上海華虹NEC電子有限公司
• 主分類號: H01L21/762
• 分類號: H01L21/762
• 代理公司: 上海浦一知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31211
• 代理人: 高月紅

1.一種深溝槽頂部傾斜角形成的工藝方法，其特征在于，包括步驟：

1）在單晶硅襯底上，依次淀積，形成第一氧化膜-氮化膜-第二氧化膜結(jié)構(gòu)的硬掩膜，或者只淀積第三氧化膜作為硬掩膜；

2）干法刻蝕硬掩膜，形成深溝槽圖形；

3）在單晶硅襯底上，干法刻蝕形成深溝槽；

4）濕法刻蝕，去除第二氧化膜，或通過濕法刻蝕，將第三氧化膜橫向推進(jìn)一部分；

5）干法刻蝕，去除氮化膜和第一氧化膜，或去除第三氧化膜，形成深溝槽頂部圓角；

6）單晶硅回刻，形成深溝槽頂部傾斜角。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于：所述步驟1）中，淀積的方式包括：爐管或化學(xué)氣相淀積；

第一氧化膜、第二氧化膜、第三氧化膜的材質(zhì)包括：氧化硅；氮化膜的材質(zhì)包括：氮化硅；

第一氧化膜的厚度為100～500埃；氮化膜的厚度為1000～2000埃；第二氧化膜的厚度為2500～10000埃；第三氧化膜的厚度為2500～10000埃。

3.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于：所述步驟1）中，第一氧化膜-氮化膜-第二氧化膜結(jié)構(gòu)的硬掩膜適用于射頻橫向擴(kuò)散型金屬氧化場效應(yīng)管器件；第三氧化膜作為硬掩膜的適用于只有厚場氧的器件。

4.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于：所述步驟2）中，干法刻蝕的步驟包括：通過光刻以及采用刻蝕氣體，形成深溝槽圖形，然后，把光刻膠通過濕法去除；其中，干法刻蝕的工藝參數(shù)為：壓力5～50豪托，單電極功率為200～1000瓦，刻蝕氣體包括：50～150SCCMCF₄、10～40SCCM?CHF₃或5～20SCCM?O₂。

5.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于：所述步驟3）中，深溝槽是垂直的單晶硅深溝槽；

深溝槽的深度為4～15μm；

干法刻蝕的工藝參數(shù)為：壓力為10～100毫托，上部電極功率為500～1500W，下部電極功率為50～600W，刻蝕氣體包括：15～30SCCM?SF₆、5～20SCCM?CF₄或5～20SCCM?CHF₃。

6.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于：所述步驟4）中，濕法刻蝕中的藥液包括：含有氫氟酸成分的藥液；

將第三氧化膜橫向推進(jìn)一部分中，推進(jìn)范圍為1000～3000埃。

7.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于：所述步驟5）中，干法刻蝕的工藝參數(shù)為：壓力5～50豪托，單電極功率為200～1000瓦，刻蝕氣體包括：50～150SCCM?CF₄、10～40SCCMCHF₃或5～20SCCM?O₂。

8.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于：所述步驟6）中，回刻的工藝參數(shù)為：壓力5～50毫托，上部電極功率為1000～2000W，下部電極功率為100～500W，刻蝕氣體包括：100～200SCCM?Cl₂、5～20SCCM?HBR或20～50SCCM?O₂。