[發(fā)明專利]有機電致發(fā)光器件及其制備方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210319856.6
• 申請日: 2012-08-31
• 公開（公告）號: CN103682109A
• 公開（公告）日: 2014-03-26
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 周明杰;王平;黃輝;鐘鐵濤
• 申請（專利權(quán)）人: 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/56
• 代理公司: 廣州華進聯(lián)合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 何平;生啟

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種有機電致發(fā)光器件及其制備方法。

背景技術(shù)

有機電致發(fā)光器件的發(fā)光原理是基于在外加電場的作用下，電子從陰極注入到有機物的最低未占有分子軌道（LUMO），而空穴從陽極注入到有機物的最高占有軌道（HOMO）。電子和空穴在發(fā)光層相遇、復(fù)合、形成激子，激子在電場作用下遷移，將能量傳遞給發(fā)光材料，并激發(fā)電子從基態(tài)躍遷到激發(fā)態(tài)，激發(fā)態(tài)能量通過輻射失活，產(chǎn)生光子，釋放光能。

但是在有機小分子材料中，空穴傳輸速率比電子傳輸速率要高兩個數(shù)量級以上，因此，往往導(dǎo)致空穴與電子的復(fù)合幾率低下，從而降低了有機電致發(fā)光器件的發(fā)光效率。

發(fā)明內(nèi)容

基于此，有必要提供一種發(fā)光效率較高的有機電致發(fā)光器件及其制備方法。

一種有機電致發(fā)光器件，包括依次層疊的陽極、量子阱層、電子注入層及陰極，所述量子阱層包括依次層疊的至少兩層電子傳輸層及設(shè)置于相鄰的兩層電子傳輸層之間的發(fā)光層，所述電子傳輸層的材料包括電子傳輸材料及摻雜在所述電子傳輸材料中的有機結(jié)晶材料，所述電子傳輸材料選自4,7-二苯基-1,10-菲羅啉、1,2,4-三唑衍生物及N-芳基苯并咪唑中的至少一種，所述有機結(jié)晶材料選自2-(4'-叔丁苯基)-5-(4'-聯(lián)苯基)-1,3,4-惡二唑、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲啰啉、2,2'-(1,3-苯基)二[5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-惡二唑]及雙(2-甲基-8-羥基喹啉-N1,O8)-(1,1'-聯(lián)苯-4-羥基)鋁中的至少一種，所述發(fā)光材料選自4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃、4-（二腈亞甲叉）-2-甲基-6-（4-二甲胺基-苯乙烯）-4H-吡喃、[4,4′-二(2,2-二苯乙烯基)-1,1′-聯(lián)苯]、雙[9-乙基-3,3’-(1,4-苯基二-2,1-乙烯基)-H-咔唑及八羥基喹啉鋁中的至少一種。

在其中一個實施例中，所述電子傳輸層的厚度為2nm~40nm，所述發(fā)光層的厚度為2nm~40nm。

在其中一個實施例中，所述發(fā)光層的層數(shù)為大于等于1且小于等于5的整數(shù)。

在其中一個實施例中，所述電子傳輸層中的所述有機結(jié)晶材料的質(zhì)量百分含量為5%~20%。

在其中一個實施例中，所述電子注入層的材料選自碳酸銫、氟化銫、疊氮銫及氟化鋰中的至少一種。

在其中一個實施例中，所述陰極的材料為銀、鋁、鉑或金。

一種有機電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟：

在陽極表面蒸鍍形成量子阱層，所述量子阱層包括依次層疊的至少兩層電子傳輸層及設(shè)置于相鄰的兩層電子傳輸層之間的發(fā)光層，所述電子傳輸層的材料包括電子傳輸材料及摻雜在所述電子傳輸材料中的有機結(jié)晶材料，所述電子傳輸材料選自4,7-二苯基-1,10-菲羅啉、1,2,4-三唑衍生物及N-芳基苯并咪唑中的至少一種，所述有機結(jié)晶材料選自2-(4'-叔丁苯基)-5-(4'-聯(lián)苯基)-1,3,4-惡二唑、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲啰啉、2,2'-(1,3-苯基)二[5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-惡二唑]及雙(2-甲基-8-羥基喹啉-N1,O8)-(1,1'-聯(lián)苯-4-羥基)鋁中的至少一種，所述發(fā)光材料選自4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃、4-（二腈亞甲叉）-2-甲基-6-（4-二甲胺基-苯乙烯）-4H-吡喃、[4,4′-二(2,2-二苯乙烯基)-1,1′-聯(lián)苯]、雙[9-乙基-3,3’-(1,4-苯基二-2,1-乙烯基)-H-咔唑及八羥基喹啉鋁中的至少一種；

在所述量子阱層表面形成電子注入層；及

在所述電子注入層表面形成陰極。

在其中一個實施例中，所述發(fā)光層的層數(shù)為大于等于1且小于等于5的整數(shù)。

在其中一個實施例中，所述電子傳輸層中的所述有機結(jié)晶材料的質(zhì)量百分含量為5%~20%。

在其中一個實施例中，所述電子傳輸層的厚度為2nm~40nm，所述發(fā)光層的厚度為2nm~40nm。