[發(fā)明專利]頂發(fā)射有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210319842.4
• 申請日: 2012-08-31
• 公開（公告）號: CN103682129A
• 公開（公告）日: 2014-03-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 周明杰;王平;黃輝;陳吉星
• 申請（專利權(quán)）人: 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
• 主分類號: H01L51/52
• 分類號: H01L51/52;H01L51/54;H01L51/56
• 代理公司: 廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 44224
• 代理人: 何平;生啟

1.一種頂發(fā)射有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的基板、散射層、氧化鎂層、陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層及陰極，其特征在于，所述散射層的材料包括主體材料及摻雜在所述主體材料中的二氧化鈦，所述主體材料選自酞菁銅、酞菁鋅、酞菁鎂及酞菁釩中的至少一種。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的頂發(fā)射有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述散射層的厚度為10nm~50nm，所述氧化鎂層的厚度為50nm~200nm。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的頂發(fā)射有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述散射層中所述二氧化鈦的質(zhì)量百分含量為10%~50%。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的頂發(fā)射有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述二氧化鈦的粒徑為20nm~200nm，所述氧化鎂層由粒徑為20nm~100nm的氧化鎂顆粒組成。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的頂發(fā)射有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述發(fā)光層的材料選自4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃、9,10-二-β-亞萘基蒽、4,4'-雙(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-聯(lián)苯及8-羥基喹啉鋁中的至少一種。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的頂發(fā)射有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述電子傳輸層的材料選自4,7-二苯基-1,10-菲羅啉、1,2,4-三唑衍生物及N-芳基苯并咪唑中的至少一種。

7.一種頂發(fā)射有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

在基板表面蒸鍍形成散射層，所述散射層的材料包括主體材料及摻雜在所述主體材料中的二氧化鈦，將所述主體材料與所述二氧化鈦放入蒸發(fā)源里同時加熱蒸發(fā)，真空度為2×10^-5Pa~5×10^-3Pa，蒸發(fā)速率為1nm/s~20nm/s，所述主體材料選自酞菁銅、酞菁鋅、酞菁鎂及酞菁釩中的至少一種，接著對所述散射層進(jìn)行退火處理；退火溫度為20℃~150℃，時間為10分鐘~30分鐘；

在所述散射層表面采用電子束蒸鍍氧化鎂層，在真空度為2×10^-5Pa~5×10^-3Pa的條件下加熱蒸發(fā)，及

在所述氧化鎂層表面依次蒸鍍陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層及陰極。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的頂發(fā)射有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于：述散射層的厚度為10nm~50nm，所述氧化鎂層的厚度為50nm~200nm。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的頂發(fā)射有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于：所述散射層中所述二氧化鈦的質(zhì)量百分含量為10%~50%。

10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的頂發(fā)射有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于：所述二氧化鈦的粒徑為20nm~200nm，所述氧化鎂層由粒徑為20nm~100nm的氧化鎂顆粒組成。